一种碳掺杂的二硼化镁超导带材制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碳掺杂的二硼化镁超导带材制备方法，技术特征在于：a、在金属基带上沉积缓冲层薄膜；b、制作苹果酸掺杂的Mg(BH4)2胶体，并将该胶体涂覆在缓冲层薄膜上；c、放在保护气氛下加热到300～500℃，使苹果酸-Mg(BH)4分解成Mg(B1-xCx)2(x＝0.01-0.10)超导合金化合物；d、在c步获得的Mg(B1-xCx)2超导层表面覆盖具有良好导电、导热的金属作为保护层，即获得可实用的碳掺杂MgB2超导带材。与现有方法相比，本发明专利技术方法制备的MgB2超导带材临界电流密度、热稳定性以及柔韧性更好，且制作成本更低，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超导带材的制作方法，尤其涉及。
技术介绍
高性能的超导材料是发展大规模超导输电，超导变压器，超导限流器，超导磁体， 超导储能等应用的基础。二硼化镁(MgB2)超导带材由于具有较高的超导转变温度、非常高的电流承载能力、低廉的原材料成本且制作容易，有望替代传统的低温超导材料，实现大规模的商业应用；它尤其在15 26K温度，小于5T磁场的磁体应用上有着具有巨大的市场潜力，是未来医疗核磁共振超导磁体(MRI)材料的理想选择。现有的MgB2超导带材的制作方法是采用原位粉末套管法(in-situ powder-in-tube)，即将混合好的Mg粉和B粉装入阻挡层管中，再装入包套管中并密封， 随后孔型加工、拔拉等冷加工方式将其加工成直径约2-3mm的圆线，再通过辊压轧制成带， 最后进行热处理。这种MgB2超导带材通常由外包套层，中间阻挡层和MgB2超导芯三部分组成。这种原位粉末套管法制备的超导带材存在以下问题1)临界电流密度较低，超导性能差；这种方法先将Mg粉和B粉混合，然后再进行高温热处理。在热处理过程中，Mg向B扩散，在Mg位留下孔洞，使生成的Mg^超导芯明显多孔，密度低(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘熙锋，闫果，冯勇，刘向宏，张丰收，张平祥，
申请(专利权)人：西部超导材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：