一种宽带隙多异质结隧穿结结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本实用新型专利技术解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿，进一步提高峰值隧穿电流和更小的串联电阻，从而满足高倍聚光太阳电池的应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种宽带隙多异质结隧穿结结构，是用于串接多个子电池的高倍聚光砷化镓多结太阳电池的隧穿结结构。
技术介绍
砷化镓多结太阳电池由若干不同带隙的子电池串接而成，各子电池均为p_n结构，如果直接串联在一起，则子电池接触界面会形成反偏的P_n结而导致电压相互抵消而不导电。采用隧穿结联结可以解决这一问题。隧穿结也是p-n结构，其特点是功能层厚度薄且掺杂浓度非常高，费米能级分别进入P区和N区的价带和导带，当有太阳光照时，隧穿结两端出现电势差，N区多数载流子-电子可以从N区导带直接隧穿进入P区价带，于是产生隧穿电流，达到联接两个子电池的作用，当电势差不断增加，N区载流子费米能级高于P区载流子费米能级时，载流子便不能隧穿，此时隧穿结电流称为峰值峰穿电流。隧穿结的峰值峰穿电流与掺杂浓度有关，掺杂浓度越高，隧穿结的峰值隧穿电流越大。1为了降低隧穿结对太阳光的吸收，隧穿结功能层要求采用宽带隙材料。然而，随着材料带隙的增加，半导体层的有效掺杂浓度和载流子隧穿几率都会下降，导致隧穿结峰值电流密度会呈指数形式下降。传统的隧穿结由两个功能层构成，即仅具有第二和第三功能层。如N^GaAsA^GaAs' N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽带隙多异质结隧穿结结构，其特征在于：由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。

【技术特征摘要】
1.一种宽带隙多异质结隧穿结结构，其特征在于由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。2.根据权利要求I...

【专利技术属性】
技术研发人员：单智发，张永，蔡建九，陈凯轩，林志伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：