【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种发光二极管及其制造方法，特别有关一种具有高散热绝缘基板的。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)属于化合物半导体的一种,其是利用P型及N型半导体材料中的电子空穴结合时，以发光形式来释放出能量。由于发光二极管具有体积小、寿命长、耗电量低、反应速率快等优点，近年来已广泛的应用于光学显示装置、通讯装置与照明设备上，成为日常生活中不可或缺的光电元件。发光二极管晶粒的结构可分为水平式发光二极管晶粒及垂直式发光二极管晶粒。 水平式发光二极管晶粒的结构由于电极制作区域所占据的面积太大，影响发光二极管晶粒的光源射出的面积；且水平式发光二极管晶粒的共平面电极(CoplanarElectrode)将造成发光二极管的电场分布不均匀，最大电场强度会集中在电极的边缘，因此电流会集中于此，形成电流群聚效应，而造成发光不均匀；此外局部的大电流密度所产生的热量无法散逸出发光二极管晶粒之外，会影响发光二极管晶粒的寿命及其内部量子效应使得发光强度降低。为了改善水平式发光二极管晶粒的电极制作区域占据太大面积与电流群聚效应，因此提出了垂直式发光二极...
【技术保护点】
一种发光二极管晶粒，其特征在于包含：一散热绝缘基板；一第一金属层，形成于该散热绝缘基板的一表面上；一发光二极管磊晶层；以及一第二金属层，形成于该发光二极管磊晶层上，与该第一金属层接合。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蓝文正，张聪明，
申请(专利权)人：台湾波律股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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