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石墨烯光探测器及其制备方法技术

技术编号:8454115 阅读:239 留言:0更新日期:2013-03-21 22:42
本发明专利技术公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法,其中,石墨烯光探测器包括:基板;基板上形成有第一金属电极图形;第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形;且任两个相邻的第一金属电极中:一第一金属电极上形成有第二金属电极,另一第一金属电极上没有第二金属电极;第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯,石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间,石墨烯上还形成有金属接触层图形,各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明专利技术降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响,提高所制备的探测器的性能,可形成良好的电极接触,增大光电感应的频率范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子技术,特别是涉及一种。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料,是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料。石墨烯中各碳原子之间的连接非常柔韧,当施加外部机械力时, 碳原子面就弯曲变形,从而使碳原子不必重新排列来适应外力,也就保持了结构稳定,这种稳定的晶格结构使碳原子具有优秀的导电性。石墨烯中的“载流子”(electric charge carrier)在轨道中迁移时,不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射。由于原子间作用力十分强,在常温下,即使周围碳原子发生挤撞,石墨烯中载流子受到的干扰也非常小。此外,石墨烯“载流子”(electric charge carrier)的迁移率达到了光速的1/300,远远超过了电子在一般导体中的运动速度。基于石墨烯优异的机械、电学等性能,石墨烯在微电子领域的应用引起人们普遍的兴趣。如何合理设计石墨烯电子器件的结构、以及如何改善工艺来减少石墨烯载流子迁移率的损耗等问题,成为当今研究的热点问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种,用以降低器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响,提高所制备的探测器的性能。一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯光探测器,其特征在于,包括:基板;所述基板上形成有第一金属电极图形,所述第一金属电极图形包括间隔分布的二个或二个以上的第一金属电极;所述第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形,所述第二金属电极图形包括间隔分布的一个或一个以上的第二金属电极;且任两个相邻的第一金属电极中:一第一金属电极上形成有第二金属电极,另一第一金属电极上没有第二金属电极;所述第一金属电极图形和所述第二金属电极图形上形成有石墨烯,所述石墨烯的功函数,介于所述第一金属电极的功函数和所述第二金属电极的功函数之间;所述石墨烯上还形成有金属接触层图形,所述金属接触层图形包括二个或二个以上的金属接触电极,各金属接触电极与第一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖柯吕宏鸣伍晓明钱鹤吴华强
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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