【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电
，特别是涉及一种太阳能电池片的电极结构。
技术介绍
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点，太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转化为电能的主要部件。常见的晶体硅太阳能电池是由背面电极、半导体材料构成的P型层、N型层、P-N 结、减反射薄膜、正面栅电极等部分组成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳能后。激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P— N结自建电场分开，电子流进入 N区，空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太能能电池的正、负极与外部电路连接， 外部电路中就有光生电流通过。目前多数的晶体硅太阳能电池电池采用P型硅片，经过磷扩散后形成P—N结，在P 型硅上制作背电极和背场，在扩散形成的N面制作正面栅电极，整个器件利用P— N结的光生伏特效应来工作。对于125mmX 125mm的单晶娃或多晶娃电池的正面栅电极一般米用两条主栅线，对于156mmX156mm的单...
【技术保护点】
一种太阳能电池片的上下式电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），其特征在于：主栅线包括三列，且每列由通过横向间隔（2）隔开的上、下两根主栅线组成，横向间隔（2）的宽度为0.5mm~4mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：盛健，威灵顿·皮埃尔J，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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