【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于石墨烯薄膜材料的制备领域,特别涉及。
技术介绍
自从2004年曼彻斯特大学Novoselov和Geim的研究小组发现石墨烯以来,石墨烯迅速成为物理学、化学和材料学的热门话题,掀起了研究人员对其性质和应用的研究热潮。最近美国哥伦比亚大学的研究人员发现,石墨烯是目前世界上已知材料中强度最大,厚 度最薄的材料。就导电性而言,石墨烯是零带隙半导体,其稳定的晶格结构使碳原子具有优异的导电性,其中电子的运动速度达到了光速的1/300,远超过了电子在一般导体中的运动速度,是目前已知的导电性能最出色的材料。同时,石墨烯具有很大的理论比表面积和独特的载荷子特性,这为其成为优良的超级电容器电极材料提供了理论基础。M. D. Stoller 等人在 Nano Letter 8 (2008) 3498-3452 上报道了化学修饰石墨烯超级电容器材料,这种方法制备的材料在水性电解液中达到了 135F/g的比电容。但是这种化学法制备的石墨烯仍是粉体需要与粘结剂和导电剂的复合才能制成超级电容器电极。D. Li等人在Advanced Materials 23 (2011) 283 ...
【技术保护点】
一种超级电容器用石墨烯薄膜的制备方法,包括:(1)在室温下,将氧化石墨用去离子水洗涤后与去离子水配成1~5mg/mL悬浮液,超声1~3h,离心洗涤过程去除沉淀,在40~45℃下旋转蒸发直至形成氧化石墨溶胶;(2)将氧化石墨溶胶刮涂在钛箔表面,制得氧化石墨薄膜,将氧化石墨薄膜以1:40~120cm2/μL的配比置于水合肼中,90~120℃反应4~15h,去离子水洗涤即得。
【技术特征摘要】
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