一种硬盘磁头晶片的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种硬盘磁头晶片的生产方法。本发明专利技术的技术方案要点是：一种硬盘磁头晶片的生产方法，包括以下步骤：（1）在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；（2）依次进行三层合金层的电镀，其中前两层为难氧化或难腐蚀的合金层，去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；（3）涂布光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀不需要的金属，再溅射Al2O3晶体，研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。本发明专利技术采用多层合金分步电镀生产硬盘磁头晶片的方法具有工序步骤简单、工序时间短、控制参数少等优点，因此能为企业带来巨大的经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硬盘磁头晶片设计生产中电镀的
，具体涉及。
技术介绍
在硬盘磁头晶片生产中电镀工序占很大比重，所涉及的电镀种类主要有N1-Fe电镀、Au电镀、Cu电镀、Co-N1-Fe电镀、Fe-N1-Co电镀、Fe-Ni电镀等。晶片电镀周期较长， 若交货不及时，将会大大影响生产企业的竞争力。普通单层金属电镀的步骤大致为在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层一涂布光刻胶一曝光并显影所需图形一烘干，使光刻胶定型一电镀一去离子清洗一褪除光刻胶 —氩离子束刻蚀去除所要图形以外的种子层；然后用光刻胶保护住所要的金属区一用酸溶液腐蚀掉不需要的金属一溅射Al2O3晶体一研磨以暴露出合金层。若要进行多层合金层电镀，重复以上各个步骤即可。然而，这样的整个过程工序比较复杂，生产周期较长，效益较低。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供了，该方法采用分步电镀的工序使生产步骤大大减少，缩短了生产周期，提高了经济效益。本专利技术的技术方案为，其特征在于包括以下步骤:(I)、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；(2)、依次进行三层合金层的电镀，其中前两层合金层为难氧化或难腐蚀的合金层，去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；(3)、涂布光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀掉不需要的金属，再溅射Al2O3晶体，研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(I)中涂布光刻胶的厚度为5.O 5. 5 μ m0本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(2)中的三层合金层依次为N1-Fe 层、N1-P 层和 Fe-Co-Ni 层或 N1-Fe 层、N1-P 层和 Co-N1-Fe 层或 N1-Fe 层、N1-Pd 层和 Co-N1-Fe 层或 N1-Fe 层、N1-Pd 层和 Fe-Co-Ni 层。本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(2)中合金层的电镀过程中酸活化溶液为10L酸活化溶液中含有质量浓度为37%的盐酸的体积为500ml、去离子水IOL和十二烷基硫酸钠2. Og，酸活化时间为lmin，电镀过程中根据电镀合金层的不同设置不同的电镀条件。本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(3)中涂布光刻胶的厚度为6.O 6. 5 μ m。本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(3)中溅射Al2O3晶体的厚度为7.O 7. 5 μ m。本专利技术硬盘磁头晶片的生产方法中所述步骤(3)中的研磨时间为30min。本专利技术的实施过程中适当地提高了电镀液中表面活性剂的浓度，以降低液体的表面张力；另外在不影响合金的磁学性能的前提下或在合金成分允许的拨动范围内，适当地降低电镀速率。本专利技术采用多层合金分步电镀生产硬盘磁头晶片的方法，相对于普通的单层合金多步循环电镀具有工序步骤简单、工序时间短、控制参数少等优点，因此能为企业带来巨大的经济效益。具体实施方式以下通过实施例形式的具体实施方式，对本专利技术的上述内容做进一步详细说明， 但不应该将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例。凡基于本专利技术上述内容实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例I，其特征在于包括以下步骤(I)、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布厚度为5. O μ m的光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干； (2)、依次电镀N1-Fe、N1-P和Fe-Co-Ni三层合金层，电镀过程中酸活化溶液为10L酸活化溶液中质量分数为37%的盐酸的体积为500ml，去离子水10L，十二烷基硫酸钠2. Og,活化时间为Imin ;电镀条件为=N1-Fe合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为1. 5g/L，晶片与阳极的距离为30±0. 2cm，搅拌柄与晶片的距离为1. 0±0. 1cm，搅拌速度为52±2次/ min，电镀液流速为10. 5±0. 5L/min，电镀液温度为25° C±0. 2° C，pH值为2. 68±0. 02 ; N1-P合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为1. 5g/L，晶片与阳极的距离为25±0. 2cm, 搅拌柄与晶片的距离为1. 0±0. 1cm，搅拌速度为58±2次/min，电镀液流速为10. 5±0. 5L/ min，电镀液温度为40° C±0. 2° C，pH值为3. 34±0. 02 ;Fe-Ni_Co合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为O. 05±0. 01g/L,晶片与阳极的距离为30±0. 2cm，搅拌柄与晶片的距离为1. O±O.1cm,搅拌速度为52±2次/min，电镀液流速为14. 0±0. 3L/min，电镀液温度为19° C±0. 2° C，pH值为3. 10±0. 02 ;去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；(3)、涂布厚度为6. Oym的光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀不需要的金属，再派射厚度为7. O μ m的Al2O3晶体,研磨30min以暴露出合金层即形成磁头晶片。实施例2，其特征在于包括以下步骤(I)、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布厚度为5. 5 μ m的光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；(2)、依次电镀N1-Fe、N1-P和Fe-Co-Ni三层合金层，电镀过程中酸活化溶液为10L酸活化溶液中质量分数为37%的盐酸的体积为500ml，去离子水10L，十二烷基硫酸钠2. Og,活化时间为Imin ;电镀条件为=N1-Fe合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为1. 5g/L，晶片与阳极的距离为30±0. 2cm，搅拌柄与晶片的距离为1. 0±0. 1cm，搅拌速度为52±2次/ min，电镀液流速为10. 5±0. 5L/min，电镀液温度为25° C±0. 2° C，pH值为2. 68±0. 02 ; N1-P合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为1. 5g/L，晶片与阳极的距离为25±0. 2cm,搅拌柄与晶片的距离为1. 0±0. 1cm，搅拌速度为58±2次/min，电镀液流速为10. 5±0. 51/min，电镀液温度为40° C±0. 2° C，pH值为3. 34±0. 02 ;Fe-Ni_Co合金电镀液十二烷基磺酸钠的质量浓度为0. 05±0. 01g/L,晶片与阳极的距离为30±0. 2cm，搅拌柄与晶片的距离为1. 0±0. 1cm，搅拌速度为52±2次/min，电镀液流速为14. 0±0. 3L/min，电镀液温度为19° C±0. 2° C，pH值为3. 10±0. 02 ;去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；(3)、涂布厚度为6. 5 的光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀不需要的金属，再派射厚度为7. 5 ii m的Al2O3晶体,研磨30min以暴露出合金层即形成磁头晶片。实施例3 ，其特征在于包括以下步骤(I)、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布厚度为5. 0 y m的光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；(2)、依次电镀N1-Fe、N1-P和Co-N1-Fe三层合金层，电镀过程中酸活化溶液为10L酸活化溶液中质量分数为37%的盐酸的体积为500ml，去离子水10L，十二烷基硫酸钠2. Og,活化时间为Imin ;电镀条件为=N1-Fe合金电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硬盘磁头晶片的生产方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、在晶片上溅射黏附层，再溅射一层种子层，然后涂布光刻胶，曝光并显影所需图形，烘干；（2）、依次进行三层合金层的电镀，其中前两层合金层为难氧化或难腐蚀的合金层，去离子水清洗，褪除光刻胶，氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层；（3）、涂布光刻胶保护所要的金属区，用酸溶液腐蚀掉不需要的金属，再溅射Al2O3晶体，研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冀康，王永康，范锡印，
申请(专利权)人：新乡医学院，
类型：发明
国别省市：