基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，包括：衬底、主激励线圈、辅助激励线圈、检测线圈、磁芯、电极、聚酰亚胺薄膜，其中，在磁芯平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈，在长轴中部对称绕制三组检测线圈和两组辅助激励线圈；在同一长轴上每两组检测线圈中间分布一组所述辅助激励线圈，所述主激励线圈、辅激励线圈和检测线圈均位于衬底表面，所述主激励线圈的两端连接电极。本发明专利技术解决了传统磁通门传感器制造稳定性、重复性差的问题，采用主辅线圈双重激励提高了微型磁通门传感器激励效率，有效降低了输出信号噪声和能耗，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测量弱磁场的微型化磁通门传感器，具体地，涉及利用基于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems,MEMS)技术的集成微制造方法制造的一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器。
技术介绍
磁通门传感器作为一种传统的弱磁场检测器件，一直有着其独特的优势而无法为其他磁场传感器所取代，近年来更是不断在新的领域发现其应用潜力，例如小型移动设备GPS定位、导弹惯性制导、小卫星方位姿态控制、虚拟现实空间内的动作检测、对高清电视(HDTV)的地磁补偿和点噪声补偿等。近年来，由于各种场的应用逐渐地扩展，对于器件的要求趋向于更薄、更轻、更便宜。相应地，磁通门传感器也试图变得更薄、更轻、更便宜。传统磁通门传感器使用一个坚固的骨架作为基座，将软磁带状磁芯固定于骨架上，然后在其上缠绕一个通过电流产生磁场的激励线圈，和一个在激励线圈诱发磁场基础上检测外部磁场效应的磁场感应线圈。这使得传统磁通门传感器的尺寸大、重量高、灵敏度低以及长期稳定性差。MEMS技术的发展为微型化磁通门传感器的研制提供了一条有效可靠的途径。与传统磁通门传感器探头相比较，MEM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于主辅线圈双重激励的低噪声微型平面磁通门传感器，其特征在于，包括：衬底(1)、主激励线圈(2)、辅助激励线圈(3)、检测线圈(4)、磁芯(5)、电极(6)和聚酰亚胺薄膜(7)，其中，在磁芯(5)平行的两条长轴两端对称绕制四组主激励线圈(2)，在长轴中部对称绕制三组检测线圈(4)和两组辅助激励线圈(3)；位于同一长轴上的三组检测线圈(4)之间同向串联，位于不同长轴上的检测线圈(4)之间反向串联，在同一长轴上每两组检测线圈(4)中间分布一组所述辅助激励线圈(3)，所述磁芯(5)、主激励线圈(2)、辅激励线圈(3)和检测线圈(4)均由所述聚酰亚胺保护膜(7)包覆以绝缘隔离，所述主激励线圈(2)...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷冲，周勇，杨真，雷剑，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：