一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高温耐冲击压力传感器及其制备方法，该传感器包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起；芯体包括圆柱状的壳体，在壳体的上端设置有水平凹槽，水平凹槽内设有SOI芯片；壳体内设置有引线电极，SOI芯片的压焊点电极通过金丝与壳体的引线电极连接；壳体的引线电极引出为内引线，该内引线通过夹具连接至外引线。该压力传感器将扩散硅PN结隔离工艺设计方案改进为绝缘层隔离SOI工艺方案。使其温度可达300℃，解决了PN结隔离因高温下漏电流过大而使传感器无法工作问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于传感器
，涉及一种压力传感器，尤其是。
技术介绍
现有技术中，传感器制作是利用集成电路工艺，在N型硅片上扩散进P型杂质，在两者接触面上形成PN结，再以一系列工序，做成惠斯顿电桥，用以感受压力。再通过焊锡， 将内外引线焊接，再用螺纹加胶接方式进行各部件的装配。用此工艺制作的传感器，由于是 PN结隔离，随着温度升高，漏电流增大，以至性能严重恶化，其极限温度是125°C。再是引线焊接，通用焊锡温度168°C，高温焊锡说是30(T40(TC，实际到250°C就熔化了，另外，就是装配问题，利用胶接和螺纹方式，在高温和强烈振动的环境中，胶粘剂就会炭化，螺纹就会松动，从而引起传感器失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供，该压力传感器将扩散硅PN结隔离工艺设计方案改进为绝缘层隔离SOI工艺方案。使其温度可达300°C，解决了 PN结隔离因高温下漏电流过大而使传感器无法工作问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来解决的这种高温耐冲击压力传感器，包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，所述芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温耐冲击压力传感器，其特征在于，包括金属套管（B）以及套在金属套管（B）内的芯体（A），所述芯体（A）与金属套管（B）的连接部分设有螺纹，芯体（A）与金属套管（B）通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起；所述芯体（A）包括圆柱状的壳体（1），在所述壳体（1）的上端设置有水平凹槽（4），所述水平凹槽（4）内设有SOI芯片（2）；所述壳体（1）内设置有引线电极，所述SOI芯片（2）的压焊点电极通过金丝（3）与壳体（1）的引线电极连接；壳体（1）的引线电极引出为内引线（8），该内引线（8）通过夹具（7）连接至外引线（9）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓斌，陈龙，张妮妮，刘秀娥，袁展荣，
申请(专利权)人：西安微纳传感器研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：