基于异型沟槽的晶体热缓释结构制造技术

本发明专利技术涉及一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构，该结构包括衍射晶体以及基座晶体；衍射晶体开设有异型热缓释沟槽，衍射晶体的背面为具有精密面形的衍射面；基座晶体上开设有卸荷槽、进水口、出水口以及集水箱；进水口通过集水箱、衍射晶体的异型热缓释沟槽与出水口相贯通；衍射晶体与基座晶体通过高温扩散焊接成组合晶体。本发明专利技术提供了一种具有冷却效率高、密封性能好、装夹应力变形小、冷却腔内外压力差引起的面形误差小以及加工工艺性好的基于异型沟槽的晶体热缓释结构。

【技术实现步骤摘要】
基于异型沟槽的晶体热缓释结构
本专利技术属于机械领域，涉及一种晶体热缓释结构，尤其涉及一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构。
技术介绍
单色器是整个同步辐射光源中最重要的装备之一，实验站所需单色光波长、能量分辨率、束斑大小、位置等都是由单色器实现或主要决定，它的分光元件的分光结果决定着实验站的最终成败，而分光元件对高热负载极其敏感，较低的功率密度都将引起非常大的分光元件形变，特别是单色器分光元件的第一衍射晶体承受着来自X射线大于99%的能量， 使晶体表面温度升高和晶体内部的温度梯度增大，导致晶体发生整体弯曲、晶面局部隆起和晶格常数变化三种热变形，其中整体弯曲对单色器性能影响最大，晶面局部隆起和晶格常数变化引起的衍射角改变导致晶体的摇摆曲线变宽可以忽略不计。另外，双晶单色器两晶体之间存在热载差，衍射晶体的热载变形导致动态相位变化，与第二晶体失谐，严重影响同步辐射光的传输效率、光通量、分辨率和本征分辨率。因此需要对单色器的第一晶体进行高热负载热缓释研究，对衍射晶体面型进行控制，以保证单色器的性能不被热载变形降低。高热负载下晶体的热缓释技术包括衍射晶体材料的分析、冷却介质的分析、冷却方式的确定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于异型沟槽的晶体热缓释结构，其特征在于：所述基于异型沟槽的晶体热缓释结构包括衍射晶体以及基座晶体；所述衍射晶体开设有异型热缓释沟槽，所述衍射晶体的背面为具有精密面形的衍射面；所述基座晶体上开设有卸荷槽、进水口、出水口以及集水箱；所述进水口通过集水箱、衍射晶体的异型热缓释沟槽与出水口相贯通；所述衍射晶体与基座晶体通过高温扩散焊接成组合晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵相国，江波，周泗忠，郭治理，靳虎敏，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：