一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其步骤如下：1、配制低温HF腐蚀液：先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；再放入质量相当于DIW三倍的DIW冰块，搅拌均匀并静置25-30分钟，其温度控制在6±0.7℃；2、将装有硅晶圆片的片架装入滚轮式去边机上；3、去除处理结束后，取出片架进行清洗，最后检验边缘去除效果；4、每加工200片，排出和补入占低温HF腐蚀液总量10%的低温HF腐蚀液。本发明专利技术的滚轮式去边技术可用于大规模集成电路及分离器件所用抛光片的制备，并具有成本低，生产效率高，实用性强等优点，是一种适用于大规模工业生产抛光片的去除背面边缘SiO2膜的技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆硅抛光片的背处理技术，特别涉及一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法。
技术介绍
硅晶圆抛光片的加工一般主要包括切片、倒角、磨片、腐蚀、背处理、抛光、清洗等制程，其中背处理制程一般包括背损伤处理、背封处理和边缘氧化膜去除处理等。边缘氧化膜去除处理是硅晶圆抛光片加工的重要制程，对抛光片以及后道外延和器件的良率起着至关重要的作用因为背封工艺过程造成的倒角面、硅片正面的SiO2的残留，甚至硅片背面边缘的SiO2S留都可能成为外延生长过程中的成核中心，在边缘形成多晶、非晶(无定形态硅);从而影响了外延质量，减少了外延的有效面积。而外延后边缘的晶格缺陷，可造成后道器件边缘良率低。 遗憾的是，目前国内晶圆制造厂家在边缘氧化膜去除处理技术都有各自的局限性，通常包括如下方法 方法I:反应室去边技术。该方法用HF气体在反应室内将硅片边缘的氧化膜去除。此技术的缺点是不容易控制HF的用量，不利于控制成本，也可能对操作员工造成伤害，也无法精确控制HF去除范围。方法2 :贴膜式去边技术。该方法采用人工贴附的方法，将不被HF腐蚀的圆形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，然后将其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其特征在于，用HF腐蚀液与DIW冰块混合配制成低温HF腐蚀液进行硅晶圆片边缘氧化膜的去除处理，其步骤如下：步骤一、配制低温HF腐蚀液：（A）、先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；（B）、再放入质量相当于步骤（A）配比中DIW三倍的DIW冰块，搅拌均匀并静置25?30分钟，其温度控制在6±0.7℃，即为低温HF腐蚀液；步骤二、将装有硅晶圆片的片架装入滚轮式去边机上，转动转轮，使转轮上布袋浸有的低温HF腐蚀液与硅晶圆片边缘氧化膜发生反应；步骤三、去除处理结束后，取出片架...

【技术特征摘要】
1.一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其特征在于，用HF腐蚀液与DIW冰块混合配制成低温HF腐蚀液进行硅晶圆片边缘氧化膜的去除处理，其步骤如下 步骤一、配制低温HF腐蚀液(A)、先将HF与DIW按照质量配比为HF=DIff=I: O. 9至1:2. 5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；(B)、再放入质量相当于步骤(A)配比中DIW三倍的DIW...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振福，李晓东，翟洪生，崔玉伟，冯硕，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：