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本发明涉及一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其步骤如下：1、配制低温HF腐蚀液：先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；再放入质量相当于DIW三倍的...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种采用低温HF腐蚀液去除硅晶圆片边缘氧化膜的方法，其步骤如下：1、配制低温HF腐蚀液：先将HF与DIW按照质量配比为HF：DIW=1:0.9至1:2.5混合成HF腐蚀液，然后倒入滚轮式去边机的酸槽内；再放入质量相当于DIW三倍的...