一种石墨烯的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在石墨烯的制备方法，其步骤包括：1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。本发明专利技术通过插入铪插层，石墨烯显示了准自由态石墨烯的典型的拉曼谱线，G峰和2D峰，因此能够屏蔽石墨烯和金属基底的相互作用，恢复石墨烯的本征电子性质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于纳米材料

技术介绍
石墨烯是由单层碳原子以Sp2杂化轨道结合而成的二维蜂窝状晶体结构，是构建其他碳同素异形体(石墨，木炭，碳纳米管和富勒烯)的基本单元。石墨烯独特的晶体结构使它具有优异的电学、热学和力学性能，如①高导电性、载流子传输率(200，OOOcmVV -s)； ②高强度，杨氏模量(1，IOOGPa)，断裂强度(125GPa);③高热导率(5，000W/mK) 高的比表面积(理论计算值2，630m2/g)。石墨烯成为目前最理想的二维纳米材料。为了综合利用石墨烯的众多优异特性，高质量石墨烯的制备变得至关重要。自 2004年英国曼彻斯特大学的Geim研究组采用胶带剥离法首次成功分离获得稳定存在的石墨烯后，各种制备石墨烯的方法陆续被发展起来，除了提到的机械剥离石墨法以外，还有外延生长法，石墨氧化分散还原法以及化学气相沉积方法等。在以上常见的石墨烯制备方法中，化学气相沉积法是指在过渡金属的催化作用下，利用高温分解碳氢气体，在过渡金属表面形成石墨烯片层。该方法是目前制备大面积高质量石墨烯的主要方法之一。然而，石墨烯和其金属基底之间的电子轨道耦合严重的影响和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 1)在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯； 2)将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上； 3)对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，插层所用的石墨烯是通过高温热分解含碳气体的方法生长在过渡金属基底上的。3.如权利要求I所述的方法，其特征在于，用于外延生长石墨烯的过渡金属基底为铱的(111)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王业亮，李林飞，高鸿钧，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
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