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本发明公开了一种在石墨烯的制备方法，其步骤包括：1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。本发明通过插入铪...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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