自举式反相器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自举式反相器。该电路包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5）、第六NMOS管（N6）、第一电容（C1）、第二电容（C2）和反相器。本实用新型专利技术的有益效果是：在负载较大时也能控制该反相器的自发热，使得可以输出稳定。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种自举式反相器，其特征在于，包括第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）、第三PMOS管（P3）、第四PMOS管（P4）、第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第四NMOS管（N4）、第五NMOS管（N5）、第六NMOS管（N6）、第一电容（C1）、第二电容（C2）和反相器；所述第一PMOS管（P1）的源极接第一控制信号输入端（CLK1），漏极与第一NMOS管（N1）的漏极、第三PMOS管（P3）的源极、第二PMOS管（P2）的栅极和第三NMOS管（N3）的漏极连接，栅极与第四PMOS管（P4）的源极、第六NMOS管（N6）的漏极、第二PMOS管（P2）的漏极、第四NMOS管（N4）的漏极连接；第二PMOS管（P2）的源极连接第一控制信号输入端（CLK1）；反相器的输入端连接第一控制信号输入端（CLK1），负极端与第三PMOS管（P3）的栅极、第四PMOS管（P4）的栅极连接；第三PMOS管（P3）的漏极与第一NMOS管（N1）的源极、第二NMOS管（N2）的栅极连接；第四PMOS管（P4）的漏极与第五NMOS管（N5）的栅极、第六NMOS管的源极连接；第一NMOS管的栅极连接第一控制信号输入端（CLK1）；第二NMOS管（N2）的漏极连接第二控制信号输入端（CLK2），源极通过第一电容（C1）接地；第三NMOS管（N3）的源极接地，栅极连接第一输入端（IN1）；第四NMOS管（N4）的源极接地，栅极连接第二输入端（IN2）；第五NMOS管（N5）的漏极连接第二控制信号输入端（CLK2），源极通过第二电容（C2）接地；第六NMOS管（N6）的栅极连接第一控制信号输入端（CLK1）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王纪云，周晓东，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：