限流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种限流电路，包括电压源（VDD）、输入端（IN）和输出端（OUT），所述电压源（VDD）与第一PNP晶体管（P1）的源极和第二PNP晶体管（P2）的源极连接，以及通过电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和NMOS晶体管（N1）的漏极；所述输入端（IN）连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极；第二PMOS晶体管（P2）与NMOS晶体管（N1）的栅极，并通过恒流源（I1）连接至输出端（OUT）；所述NPN晶体管（N1）的源极连接至输出端（OUT）。本实用新型专利技术的有益效果是：电路结构简单，自身功耗小，适用于集成电路中应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种限流电路，包括电压源（VDD）、输入端（IN）和输出端（OUT），其特征在于，还包括第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、电阻（R1）、恒流源（I1）和NPN晶体管（N1）；所述电压源（VDD）与第一PNP晶体管（P1）的源极和第二PNP晶体管（P2）的源极连接，以及通过电阻（R1）连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极和NMOS晶体管（N1）的漏极；所述输入端（IN）连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第二PMOS晶体管（P2）的栅极；第二PMOS晶体管（P2）与NMOS晶体管（N1）的栅极，并通过恒流源（I1）连接至输出端（OUT）；所述NPN晶体管（N1）的源极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余力，吴勇，桑园，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：