【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路
,尤其涉及一种电机驱动电路。技术背景 现有的调宽功率驱动器(H桥电机驱动电路)大多是采用分立的元器件组装在PCB板制成或采用半导体集成电路工艺制成,用于实现调宽功率驱动电路的功能,包括电机正反转和加减速驱动控制。采用这两种方式各有优缺点I、采用PCB板组装存在优缺点优点输出功率可设计很大。缺点分立兀器件多、电路较为复杂、输出效率低、产品体积大,工作温度范围小、重量较重、结构不坚固。2、采用半导体集成电路存在优缺点优点体积小、电路简单、重量较轻。缺点输出功率小。
技术实现思路
为解决现有电路设计分立元器件多、电路较为复杂、输出效率低、工作温度范围小、结构不坚固等的问题,本技术采用如下技术方案本技术提供一种电机驱动电路,其包括H桥驱动电路、第一场效应晶体管(以下简称MOS管)、第二 MOS管、第三MOS管和第四MOS管,其中,H桥驱动电路包括一使能控制端、一数字输入信号端、一工作电源连接端、一接地端、一第一信号输出端、一第二信号输出端、一第三信号输出端和一第四信号输出端;第一信号输出端连接第一 MOS管的栅极;第二信号输出端连接第二 MOS管的 ...
【技术保护点】
一种电机驱动电路,其特征在于,包括:H桥驱动电路、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管和第四场效应晶体管,其中,H桥驱动电路包括一使能控制端、一数字输入信号端、一工作电源连接端、一接地端、一第一信号输出端、一第二信号输出端、一第三信号输出端和一第四信号输出端;第一信号输出端连接第一场效应晶体管的栅极;第二信号输出端连接第二场效应晶体管的栅极;第三信号输出端连接第三场效应晶体管的栅极;第四信号输出端连接第四场效应晶体管的栅极;第一场效应晶体管的漏极连接电源,源极连接第一电压输出端;第二场效应晶体管的漏极连接第一电压输出端;第三场效应晶体管的漏极连接第一场效应晶 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刁晓玲,陈建功,元金皓,李加取,
申请(专利权)人:深圳市振华微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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