同轴电缆接头、组合结构及等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种同轴电缆接头、组合结构及等离子体处理装置。一种同轴电缆接头，包括接头本体、第一绝缘件、第二绝缘件、导体插件、导体接头、接地导电板以及标准压接件，同轴电缆中的内导体整体嵌入导体插件内部并与其连接，导体接头上端部连接射频电极，其下端部包覆导体插件；接地导电板紧靠接头本体设置，环绕第一绝缘件并接地；标准压接件设置于接头本体下端部，用于使接头本体和同轴电缆外导体连接；接头本体上表面临近接地导电板处设有一凹槽，该凹槽内设有一接地垫圈，其高度超出凹槽的深度，该接地垫圈分别与接头本体和接地导电板电连接。本实用新型专利技术可以保证同轴电缆接头接地良好，实现了对通过同轴电缆的高频信号更好的屏蔽效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种接头，更具体地说，涉及一种同轴电缆接头。
技术介绍
在高压 电源向电极的传输过程中，一般采用普通的高压线，这种电线只耐高压而不能屏蔽高频信号，从而导致经它传输的高频信号向外辐射，且周围环境的信号也会对高频信号造成影响。另外，对高频信号来说，分布参数会影响高频信号的传输特性，而布线的形状、与周边接触的情况都会改变它的分布参数，故以普通的高压线作为高压信号传输介质存在诸多的弊端。同轴电缆作为一种信号传输介质，其一般具有一根铜质内导体，以及多跟围绕内导体分布的外导体，两者之间以绝缘的管套加以分隔。同轴电缆的内导体作为传输信号的部分，周围导线用来防止电磁能量的辐射并具有接地的功能。所以，采用同轴电缆作为将直流高压电源连接到射频电极的传输介质，具有较好的耐高压及屏蔽高频信号的效果。但只有同轴电缆线本身的屏蔽并不能实现对高频信号的屏蔽，对同轴电缆两端接头也实现接地则会获得对其中传输的高频信号更好的屏蔽效果。在现有技术中，同轴电缆射频电极端接头包括接头本体、接地导电板和其他组件等，接头本体和接地导电板之间电连接，从而实现接头本体的接地以获得对高频信号更好的屏蔽效果。但由于接头本体和接地导电板之间可能因为热胀冷缩、接触不良等因素，造成接头本体并没有有效接地，从而使高频信号的屏蔽效果受到影响。为此，研发出一种使同轴电缆接头本体具有良好接地效果并对高频信号具有良好屏蔽效果的同轴电缆接头是本领域研发人员的一个迫切的目标。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种使接头本体具有良好接地效果，从而实现对同轴电缆中传输的高频信号更好屏蔽的同轴电缆接头。为实现上述目的，本技术的技术方案如下一种同轴电缆接头，用于将直流高压电源通过同轴电缆连接到射频电极，包括接头本体101、第一绝缘件102、第二绝缘件103、导体插件104、导体接头105、接地导电板106以及标准压接件107，同轴电缆中的内导体201整体嵌入导体插件104内部并与其连接，导体接头105上端部连接射频电极，其下端部包覆导体插件104 ;导体插件104包括从上向下垂直分布的第一、第二和第三插件部1041、1042、1043，第一插件部1041嵌入导体接头105下部，第二插件部1042上下承接第一插件部1041和第三插件部1043，其外部包覆有第一绝缘件102，第三插件部1043外部依次包覆有第二绝缘件103和第一绝缘件102 ;第二绝缘件103下部嵌入接头本体101，第一绝缘件102从上向下分别包覆导体接头105下端部、导体插件104的第二插件部1042和第二绝缘件103上端部；接地导电板106紧靠接头本体101设置，环绕第一绝缘件102并接地；标准压接件107设置于接头本体101下端部，用于使接头本体101和同轴电缆外导体连接；其中，接头本体101上表面临近接地导电板106处设有一凹槽108，该凹槽内设有一接地垫圈109，其高度超出凹槽108的深度，该接地垫圈109分别与接头本体101和接地导电板106电连接。优选地，接地垫圈109由铍铜制成，其表面镀有银。本技术还公开了一种同轴电缆及其两端接头的组合结构，用于将直流高压电源通过同轴电缆连接到射频电极，包括高压同轴电缆200、直流高压电源端接头和射频电极端接头，其中射频电极端接头为上面所述的具有凹槽和接地垫圈结构的同轴电缆接头，直流高压电源端接头与供给该直流高压电源的直流高压电源盒固接。此外，本技术还公开了一种等离子体处理装置，其包括了上述具有凹槽和接地垫圈结构的同轴电缆接头。本技术在接头本体101上表面的凹槽108内设有接地垫圈109，其高度稍超出凹槽108的深度，分别与接头本体101和接地导电板106电连接，从而保证同轴电缆接头很好地接地，进一步实现了对通过同轴电缆的高频信号更好的屏蔽效果。附图说明图IA为本技术的同轴电缆接头纵向剖视图；图IB为本技术的同轴电缆接头中导体插件的结构示意图；图2A为本技术的同轴电缆接头去除接地导电板后俯视图；图2B为本技术的同轴电缆接头去除接地导电板后仰视图。具体实施方式以下结合附图，对本技术的具体实施方式作进一步的详细说明。如图IA所示，结合图2A和图2B，本技术一实施例公开的一种同轴电缆接头，用于将直流高压电源通过同轴电缆200连接到射频电极，包括接头本体101、第一绝缘件102、第二绝缘件103、导体插件104、导体接头105、接地导电板106以及标准压接件107。其中，高压同轴电缆200中的内导体201整体嵌入导体插件104内部并通过焊接方式与其连接，导体接头105上端部连接射频电极，其下端部包覆导体插件104 ;导体插件104如图IB所示，其包括从上向下垂直分布的第一、第二和第三插件部1041、1042、1043，第一插件部1041嵌入导体接头105下部，第二插件部1042上下承接第一插件部1041和第三插件部1043，其外部包覆有第一绝缘件102，第三插件部1043外部依次包覆有第二绝缘件103和第一绝缘件102 ;第二绝缘件103下部嵌入接头本体101，第一绝缘件102从上向下分别包覆导体接头105下端部、导体插件104的第二插件部1042和第二绝缘件103上端部；接地导电板106紧靠接头本体101设置，环绕第一绝缘件102并接地；标准压接件107设置于接头本体101下端部,用于使接头本体101和同轴电缆外导体连接，保证同轴电缆外导体接地，防止内外部信号的传递干扰。为使接头本体101具有良好接地效果，从而实现对高压同轴电缆200中传输的高频信号更好的屏蔽效果，本技术在接头本体101上表面临近接地导电板106处设有一凹槽108，该凹槽内设有一接地垫圈109，其高度超出凹槽108的深度，该接地垫圈109分别与接头本体101和接地导电板106电连接。凹槽108、接地垫圈109的设置，以及接地垫圈109高度稍超出凹槽108深度的设计，实现了以接地垫圈109作为接头本体101和接地导电板106电连接的桥梁，从而保证了同轴电缆接头接地良好，进一步实现了对通过同轴电缆的高频信号更好的屏蔽效果。如图2A和图2B所示，为实现接头装卸方便和材料上的节省，接头本体101还设有4个同样尺寸的通孔110，呈扇叶形，均匀分布在接头本体101上。同轴电缆接头上的导体接头105用于连接射频电极。接地垫圈109由弹性材料制成；特别地，接地垫圈109由特殊的电极材料铍铜制成，其表面镀有银。在弹性材料的弹性力的作用下，接地垫圈109分别与其下表面处的接头本体101、与其上表面处的接地导电板106之间可靠接触；在其表面镀有铜则实现了它们之间的电连接，从而保证了同轴电缆接头接地良好。接地垫圈也可以由不锈钢材料、合金材料或橡胶制成，当其由非导电材料制成时，其表面可镀铜、铝或其他导电介质，同样可以实现本技术的技术效果。同轴电缆接头与同轴电缆200的固接方式可以为如下三种方式中的任一种A、同轴电缆接头包括一个卡口式连接部件，其与同轴电缆200相配合并卡紧以固定该同轴电缆200 ；B、同轴电缆接头包括一个插拔式连接部件，其与同轴电缆200相配合并以螺钉固定该同轴电缆200 ；C、同轴电缆接头包括一个螺旋式连接部件，其与同轴电缆200相配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴电缆接头，用于将直流高压电源通过同轴电缆(200)连接到射频电极，包括接头本体(101)、第一绝缘件(102)、第二绝缘件(103)、导体插件(104)、导体接头(105)、接地导电板(106)以及标准压接件(107)，所述同轴电缆(200)中的内导体(201)整体嵌入导体插件(104)内部并与其连接，所述导体接头(105)上端部连接射频电极，其下端部包覆导体插件(104)；所述导体插件(104)包括从上向下垂直分布的第一、第二和第三插件部(1041、1042、1043)，所述第一插件部(1041)嵌入导体接头(105)下部，所述第二插件部(1042)上下承接第一插件部(1041)和第三插件部(1043)，其外部包覆有第一绝缘件(102)，所述第三插件部(1043)外部依次包覆有第二绝缘件(103)和第一绝缘件(102)；所述第二绝缘件(103)下部嵌入接头本体(101)，所述第一绝缘件(102)从上向下分别包覆导体接头(105)下端部、导体插件(104)的第二插件部(1042)和第二绝缘件(103)上端部；所述接地导电板(106)紧靠接头本体(101)设置，环绕所述第一绝缘件(102)并接地；所述标准压接件(107)设置于接头本体(101)下端部，用于使所述接头本体(101)和同轴电缆外导体连接；其特征在于，所述接头本体(101)上表面临近接地导电板(106)处设有一凹槽，该凹槽内设有一接地垫圈(108)，其高度超出所述凹槽的深度，该接地垫圈(108)分别与所述接头本体(101)和接地导电板(106)电连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈妙娟，虞龙斌，徐蕾，张亦涛，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：