一种制备隐形结构衬底的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备隐形结构衬底的方法，形成一种新型的隐形结构衬底。本发明专利技术利用激光发射器下面设置聚焦装置，激光发射器内设有能实现二维及三维可编程化图形移动的模块，聚焦装置设有聚焦深度可控模块，在聚焦装置设置普通衬底；激光发射器的激光束通过聚焦装置的透镜进行聚焦，使激光束聚焦在普通衬底上进行物理或者化学性能改变；得到隐形结构衬底成品。本发明专利技术通过深度可控自由聚焦激光系统来改变不同深度的材料性质，简化制备隐形结构衬底的工艺，提高加工效率，减少外延衬底加工的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于
，具体涉及一种。本专利技术属于半导体制造领域，涉及半导体器件外延生长新型衬底结构的制备技术。
技术介绍
由于常规衬底(Si、蓝宝石等)与GaN外延层有不同的晶格失配和热膨胀系数，生长后在外延层会产生内应力。在某些领域，外延层中的应力场不同程度地影响或者制约着半导体器件的性能。例如，发光二极管(LED)、场效应管(TFT)等。异质外延的应力场成为半导体领域的困扰问题之一。目前，科学研究者通过不同的途径进行应力释放，也 取得了突破性的进展，在某些领域实现了商业应用。然而，在某些领域由于存在异质外延的应力 场而无法实现高性能的器件，从而无法应用。隐形结构衬底可能成为一种高效消除应力场的新型衬底，通过多种技术途径可以对普通衬底进行性质改变而形成隐形结构衬底。然而，隐形结构衬底还处于发展阶段，其结构还处于开发研究阶段，另外其制备的方法还处于探索过程中。如何高效地制备有利于GaN异质外延层应力释放的隐形结构衬底仍然是一个有待探索的问题。
技术实现思路
本专利技术的目地在于针对现有技术存在的不足，提供一种隐形结构衬底的制备技术，其结合传统的激光划片技术特征，专利技术一种新型高效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备隐形结构衬底的方法，利用外延使用的隐形结构衬底制备技术，通过深度可控自由聚焦激光系统来改变不同深度的材料性质，达到特殊功能结构衬底的制备效果，利用激光技术，实现高效制备Si？、蓝宝石、SiC的III？V或者II？VI化合物隐形结构衬底，其特征在于，制备方法的步骤如下：①、清洁好衬底备用；②、激光发射器下面设置聚焦装置，激光发射器内设有能实现二维及三维可编程化图形移动的模块，聚焦装置设有聚焦深度可控模块，在聚焦装置设置普通衬底；③、通过软件进行图像化设计，并控制激光发射器的激光束通过聚焦装置按照图像定位进行聚焦，使激光束改变普通衬底聚焦处的材料性质；④、激光发射器设置设有步进系统，激光束...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗睿宏，梁智文，张国义，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：