【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及多孔复合衬底和半导体的制作方法，以及复合衬底。
技术介绍
1、以氮化镓(gan)及其合金为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上备受重视的新型半导体材料，它具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、导热性能好、结构稳定等诸多优异性能，在光电子和微电子
都具有巨大的应用前景。光电子领域中，由于iii族氮化物的禁带宽度在0.7-6.2ev范围内连续可调，覆盖了从红光到紫外的波段，可制作绿色、蓝色乃至紫外波段发光器件以及白光照明。此外，最近兴起的紫外光led在丝网印刷、聚合物固化、环境保护也显示了特殊的用途，极大地激发了研究人员的研究兴趣。gan激光器在信息存储领域也大有作为，还可应用在医疗诊断、海底探潜和通信等各个方面。
2、当前，gan一般异质外延于蓝宝石、碳化硅或硅衬底上。由于晶格失配和热失配，异质外延的gan氮化镓内部存在较大的应力，使得外延层翘曲，降低了外延层的晶体质量，并限制外延层的厚度。
3、为此，现有技术利用具有多孔结构的gan单晶衬底缓解异质外延生长过程...
【技术保护点】
1.一种多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：在所述外延层的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒具体包括：将混合有纳米颗粒的光刻胶旋涂在所述外延层上，无掩膜曝光后显影；
3.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：在所述外延层的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒具体包括：将绝缘材质制成的若干纳米颗粒分散地放置于所述外延层外表面上；
4.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：将所述纳米颗粒作为掩膜并腐蚀所述外延层并在所述外延层中腐蚀出所述多孔结构时，所...
【技术特征摘要】
1.一种多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：包括：
2.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：在所述外延层的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒具体包括：将混合有纳米颗粒的光刻胶旋涂在所述外延层上，无掩膜曝光后显影；
3.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：在所述外延层的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒具体包括：将绝缘材质制成的若干纳米颗粒分散地放置于所述外延层外表面上；
4.如权利要求1所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：将所述纳米颗粒作为掩膜并腐蚀所述外延层并在所述外延层中腐蚀出所述多孔结构时，所述外延层的外表面与所述纳米颗粒错开的区域被腐蚀出若干凹坑；去除所述纳米颗粒后，所述外延层的外表面上原纳米颗粒对应的区域形成平整的外延生长面。
5.如权利要求4所述的多孔复合衬底的制作方法，其特征在于：所述外延层包括依次生长于所述生长衬底上方的第一外延层和第二外延层，所述外延层...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄文荣，卢敬权，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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