温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种多孔复合衬底的制作方法、单晶体、半导体的制作方法及多孔复合衬底，多孔复合衬底的制作方法包括：提供复合衬底，复合衬底包括生长衬底和形成于生长衬底上的外延层：在外延层远离生长衬底的外表面上间隙地排列若干纳米颗粒；将纳米颗粒作为掩...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。