【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及栅极驱动电路和采用该栅极驱动电路的功率变换装置。
技术介绍
通常，已知一种包括P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的栅极驱动电路。日本专利特开No.2006-340088公开了一种信号驱动电路(栅极驱动电路)，该信号驱动电路包括PMOS晶体管(P型场效应晶体管)和NMOS晶体管(N型场效应晶体管)，NMOS晶体管的漏极连接到PMOS晶体管的漏极。在该信号驱动电路中，PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的栅极彼此连接，并且被施加以相同的电压。PMOS晶体管的源极连接到电源电位，NMOS晶体管的源极连接到地电位。然而，在上述日本专利特开No. 2006-340088中公开的信号驱动电路中，用于相同的电压被施加于PMOS晶体管的栅极和NMOS晶体管的栅极，因而存在着PMOS晶体管和NMOS晶体管同时处于导通状态的时段。因此，短路电流从电源电位经过PMOS晶体管和NMOS晶体管流到地电位，以至于增加功率消耗并且阻碍切换速度加速。
技术实现思路
为了解决上述问题而提出本专利技术，本专利技术的目的是提供一种能够抑制由于在P型场效应晶体管和N型场效应晶体管同时处于导通...
【技术保护点】
一种驱动开关元件的栅极的栅极驱动电路，该栅极驱动电路包括：P型场效应晶体管；N型场效应晶体管，其与所述P型场效应晶体管串联连接；以及二极管，其连接到至少所述P型场效应晶体管的栅极或所述N型场效应晶体管的栅极，并且连接到电源，其中所述二极管形成为使施加到至少所述P型场效应晶体管的所述栅极或所述N型场效应晶体管的所述栅极的电压移动到至少所述P型场效应晶体管的所述栅极或所述N型场效应晶体管的所述栅极的阈值电压侧。
【技术特征摘要】
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