一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路制造技术

本实用新型专利技术属于功率驱动技术领域，具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。该电路包括二极管、电阻R1、电阻R2和MOSFET功率管；所述二极管的正极与电阻R1串连，串联后的结构与电阻R2并联，电阻R1和电阻R2的公共端与MOSFET功率管的栅极G连接，MOSFET功率管的源极S接地，可以实现在不增加高频损耗的情况下减小MOSFET管关断时间，降低关断损耗；所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有稳压管，可以防止栅极G过电压损坏；所述MOSFET功率管的栅极G与源极S之间并联有电容，可以通过改变驱动电路阻抗特性，防止高频振荡，确保MOSFET功率管可靠运行。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功率驱动
，具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。
技术介绍
随着磁性材料、电力电子器件和数字处理器技术的发展，高性能电机与现代控制技术相结合，使机电伺服技术迅速崛起。功率器件的应用越来越广泛，功率器件的可靠性成为机电伺服技术发展的基础。现有的MOSFET驱动电路对功率管的打开关断时间不可独立设置，栅极无过压保护，无抑制高频振荡功能。在小功率应用场合，MOSFET功率管运行可靠，未出现故障，但随着机电伺服系统功率级别越来越高，电压、电流、电压变化率、电流变化率都越来越大，电磁环境非常恶劣，现有简单的驱动电路已经不能确保MOSFET功率管可靠运行，需要进一步优化驱动保护电路。
技术实现思路
本技术提供一种MOSFET管打开关断时间可独立设置、防栅极过压、抑制高频振荡的驱动电路，其目的在于提高MOSFET功率管在中大功率机电伺服系统中的运行可靠性。为达到上述目的，本技术所采取的技术方案为一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，该电路包括二极管、电阻R1、电阻R2和MOSFET功率管；所述二极管的正极与电阻R1串连，串联后的结构与电阻R2并联；电阻R1和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于：该电路包括二极管（1）、电阻R1（2）、电阻R2（3）和MOSFET功率管（6）；所述二极管（1）的正极与电阻R1（2）串连，串联后的结构与电阻R2（3）并联；电阻R1（2）和电阻R2（3）的公共端与MOSFET功率管（6）的栅极G连接；所述MOSFET功率管（6）的源极S接地。

【技术特征摘要】
1.一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路，其特征在于该电路包括二极管(I)、电阻R1 (2)、电阻R2 (3)和MOSFET功率管(6);所述二极管(I)的正极与电阻R1 (2)串连，串联后的结构与电阻R2 (3)并联；电阻R1 (2)和电阻R2 (3)的公共端与MOSFET功率管(6)的栅极G连接；所述MOSFET功率管(6)的源极S接地。2.根据权利要求I所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑再平，龙海峰，黄玉平，王春明，郑继贵，皮利萍，
申请(专利权)人：北京精密机电控制设备研究所，中国运载火箭技术研究院，
类型：实用新型
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