高效能驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高效能驱动电路。该高效能驱动电路包含第一P型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管、第一N型金属氧化物半导体晶体管、第二N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第一P型金属氧化物半导体晶体管根据第一控制信号以及该第一N型金属氧化物半导体晶体管根据第二控制信号，分别对该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端充电和放电。因此，本发明专利技术不仅可通过该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位快速开启与关闭一第三P型金属氧化物半导体晶体管，且具有较高的效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种驱动电路，尤指一种应用于半高压互补式金氧半制程的直流电压/直流电压转换器的驱动电路。
技术介绍
请参照图1，图I是为现有技术说明直流电压/直流电压转换器100的示意图。直流电压/直流电压转换器100包含缓冲器102与开关104，其中开关104 是为P型金属氧化物半导体晶体管。在半高压互补式金氧半的制程下(只有金属氧化物半导体晶体管的汲极可以承受高压，但金属氧化物半导体晶体管的闸极的厚度并不增加)，因为开关104的闸极无法承受高压，所以缓冲器102所产生的控制信号CS的电压位准必需介于第一电压HV与低电压LV之间，其中低电压LV是为第一电压HV减去开关104的源闸极电压VSG。在现有技术中，因为开关104的尺寸很大且开关104是为半高压互补式金氧半的制程的金属氧化物半导体晶体管，所以缓冲器102为了要产生控制信号CS以及快速切换开关104需要耗费很大的电流，导致直流电压/直流电压转换器100的电能转换效率较低。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种高效能驱动电路。该高效能驱动电路包含第一 P型金属氧化物半导体晶体管、第二 P型金属氧化物半导体晶体管、第一 N型金属氧化物半导体晶体管、第二 N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第一 P型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，用以接收第一电压，第二端，用以接收第一控制信号，及第三端，用以耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管；该第二 P型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，用以接收该第一电压，第二端，用以耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管，及第三端；该第一 N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，用以接收第二控制信号，及第三端；该第二 N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，及第三端，耦接于地端；该电流源具有第一端，用以接收第二电压，及第二端，其中该电流源是用以提供第一电流；该第三N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；该第四N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，及第三端；该第五N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，耦接于该第五N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；该第一电阻具有第一端，用以接收该第一电压，及第二端，用以耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管；该第二电阻具有第一端，耦接于该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及第二端，耦接于该地端。本专利技术的还一实施例提供一种高效能驱动电路。该高效能驱动电路包含第三P型金属氧化物半导体晶体管、第一 P型金属氧化物半导体晶体管、第二 P型金属氧化物半导体晶体管、第一 N型金属氧化物半导体晶体管、第二 N型金属氧化物半导体晶体管、电流源、第三N型金属氧化物半导体晶体管、第四N型金属氧化物半导体晶体管、第五N型金属氧化物半导体晶体管、第一电阻及第二电阻。该第三P型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，用以接收第一电压，第二端，及第三端，用以耦接于负载；该第一 P型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，用以接收该第一电压，第二端，用以接收第一控制信号，及第三端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端；第二 P型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，用以接收该第一电压，第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端；该第一 N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，用以接收第二控制信号，及第三端；该第二 N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第一 N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，及第三端，耦接于地端；该电流源具有第一端，用以接收第二电压，及第二端，其中该电 流源是用以提供第一电流；该第三N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第二 N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；该第四N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，及第三端；该第五N型金属氧化物半导体晶体管具有第一端，耦接于该第二 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，耦接于该第五N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；该第一电阻具有第一端，用以接收该第一电压，及第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端；该第二电阻具有第一端，耦接于该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及第二端，耦接于该地端。本专利技术提供一种高效能驱动电路。该高效能驱动电路是利用第一 P型金属氧化物半导体晶体管和第一 N型金属氧化物半导体晶体管分别根据第一控制信号和第二控制信号开启，以使该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位(亦即第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端的电位)介于第一电压与第三电压之间。如此，该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位并不会损毁该第三P型金属氧化物半导体晶体管(该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端不是高压制程的闸极端)。另外，该第一 P型金属氧化物半导体晶体管的第三端的电位是快速上升及快速下降，且电流的绝对值仅在该第一 P型金属氧化物半导体晶体管与该第一 N型金属氧化物半导体晶体管开启的瞬间变大(亦即该电流的绝对值的平均值很小)。因此，相较于现有技术，本专利技术所提供的该高效能驱动电路不仅可快速开启与关闭该第三P型金属氧化物半导体晶体管，且具有较高的效倉泛。附图说明图I是为现有技术说明直流电压/直流电压转换器的示意图。图2是为本专利技术的一实施例说明一种闻效能驱动电路的不意图。图3是为说明第一控制信号、第二控制信号和流经节点的电流的时序示意图。图4是为本专利技术的还一实施例说明一种闻效能驱动电路的不意图。其中，附图标记说明如下100直流电压/直流电压转换器102缓冲器104开关200、400高效能驱动电路202第一 P型金属氧化物半导体晶体管204第二 P型金属氧化物半导体晶体管·206第一 N型金属氧化物半导体晶体管208第二 N型金属氧化物半导体晶体管210电流源212第三N型金属氧化物半导体晶体管214第四N型金属氧化物半导体晶体管216第五N型金属氧化物半导体晶体管218第一电阻220第二电阻222第三P型金属氧化物半导体晶体管224位准调整器226负载A节点CS控制信号FCS第一控制信号GND地端HV第一电压Il第一电流IA电流SCS第二控制信号T1、T2时段V2第二电压V3第三电压V4第四电压VSG源闸极电压具体实施例方式请参照图2，图2是为本专利技术的一实施例说明一种高效能驱动电路200的示意图。高效能驱动电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效能驱动电路，其特征在于，包含：第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，用以接收第一电压，第二端，用以接收第一控制信号，及第三端，用以耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管；第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，用以接收该第一电压，第二端，用以耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管，及第三端；第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，用以接收第二控制信号，及第三端；第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，及第三端，耦接于地端；电流源，具有第一端，用以接收第二电压，及第二端，其中该电流源是用以提供第一电流；第三N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；第四N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该电流源的第二端，第二端，及第三端；第五N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，耦接于该第五N型金属氧化物半导体晶体管的第一端和该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及第三端，耦接于该地端；第一电阻，具有第一端，用以接收该第一电压，及第二端，用以耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管；及第二电阻，具有第一端，耦接于该第四N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，及第二端，耦接于该地端。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐光宇，
申请(专利权)人：笙科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：