【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种驱动电路，尤指一种应用于半高压互补式金氧半制程的直流电压/直流电压转换器的驱动电路。
技术介绍
请参照图1，图I是为现有技术说明直流电压/直流电压转换器100的示意图。直流电压/直流电压转换器100包含缓冲器102与开关104，其中开关104 是为P型金属氧化物半导体晶体管。在半高压互补式金氧半的制程下(只有金属氧化物半导体晶体管的汲极可以承受高压，但金属氧化物半导体晶体管的闸极的厚度并不增加)，因为开关104的闸极无法承受高压，所以缓冲器102所产生的控制信号CS的电压位准必需介于第一电压HV与低电压LV之间，其中低电压LV是为第一电压HV减去开关104的源闸极电压VSG。在现有技术中，因为开关104的尺寸很大且开关104是为半高压互补式金氧半的制程的金属氧化物半导体晶体管，所以缓冲器102为了要产生控制信号CS以及快速切换开关104需要耗费很大的电流，导致直流电压/直流电压转换器100的电能转换效率较低。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种高效能驱动电路。该高效能驱动电路包含第一 P型金属氧化物半导体晶体管、第二 P型金属氧化物半导...
【技术保护点】
一种高效能驱动电路，其特征在于，包含：第一P型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，用以接收第一电压，第二端，用以接收第一控制信号，及第三端，用以耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管；第二P型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，用以接收该第一电压，第二端，用以耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管，及第三端；第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，用以接收第二控制信号，及第三端；第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有第一端，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第三端，第二端，及第三端，耦接于地端；电流源，具有第一端...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐光宇，
申请(专利权)人：笙科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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