电容式传感器及其制造方法和操作方法技术
【技术实现步骤摘要】
电容式传感器及其制造方法和操作方法
本公开涉及能量转换器，更具体而言涉及电容式传感器及其制造方法和操作方法。
技术介绍
用于转换能量的微型传感器包括基板和膜片（diaphragm）。膜片以施加到膜片的电压的预定幅度和预定频率振动。膜片通过附接到硅基板而形成。可替代地，膜片可以通过在一个硅基板上形成一部分膜片、在另一基板上形成另一部分膜片并将硅基板与另一基板接合而形成。然而，使用这样的常规方法形成的传感器在基板与膜片之间具有由于接合或沉积而导致的界面。因此，当传感器被重复使用时，传感器的结构稳定性会降低。此外，为了电绝缘被施加电压以操作传感器的电极，绝缘层形成在电极之间。绝缘层可能被充电，由此降低传感器的可靠性。此外，当使用常规方法时，接合或沉积会引起应力。
技术实现思路
本专利技术提供电容式传感器。本专利技术提供制造和操作电容式传感器的方法。附加的方面将部分地在后面的描述中阐述并且部分地从该描述显见，或者可以通过实践提供的实施方式而获知。根据本专利技术的方面，传感器包括：第一掺杂区；第二掺杂区，具有与第一掺杂区相反的导电性并包括第一振动部分；以及空置空间，设置在第一掺...
【技术保护点】
一种传感器，包括：第一掺杂区；第二掺杂区，具有与所述第一掺杂区相反的导电性并包括第一振动部分；以及空置空间，设置在所述第一掺杂区与所述第一振动部分之间，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区是整体的。
【技术特征摘要】
2011.08.22 KR 10-2011-00835821.一种传感器，包括：第一掺杂区；第二掺杂区，具有与所述第一掺杂区相反的导电性并包括第一振动部分；以及空置空间，设置在所述第一掺杂区与所述第一振动部分之间，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区是整体的，以及所述第一振动部分包括多个通孔，并且用于密封所述多个通孔的材料膜直接形成在所述第一振动部分上。2.根据权利要求1所述的传感器，其中振动器设置在所述空置空间中以被连接到所述第一振动部分并且与所述第一掺杂区平行。3.根据权利要求2所述的传感器，其中所述第二掺杂区的第二振动部分设置在位于所述振动器与所述第一振动部分之间的所述空置空间中以被连接到所述第一振动部分和所述振动器。4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第二振动部分包括多个通孔。5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述第一振动部分包括多个通孔，并且用于密封所述第一振动部分的所述多个通孔的材料膜形成在所述第一振动部分上。6.根据权利要求1所述的传感器，其中所述第一掺杂区被掺杂有n型材料或p型材料。7.根据权利要求1所述的传感器，其中所述材料膜是硅氧化物膜、硅氮化物膜和聚合物膜中的任意一种。8.一种制造传感器的方法，所述方法包括：形成单晶硅层，所述单晶硅层是单层硅层并且包括彼此相反地掺杂的第一掺杂区和第二掺杂区；以及在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的有限区域中形成空置空间，其中所述第二掺杂区包括第一振动部分，所述第一振动部分包括多个通孔，并且用于密封所述多个通孔的材料膜直接形成在所述第一振动部分上。9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述单晶硅层包括：形成掺杂有第一掺杂剂的第一单晶硅层；以及通过将所述第一单晶硅层的一部分掺杂第二掺杂剂而形成所述第二掺杂区。10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述空置空间还包括：在所述第二掺杂区下方的所述第一掺杂区中形成氧化区；以及移除所述氧化区的氧化材料。11.根据权利要求10所述的方法，其中移除所述氧化区的氧化材料还包括：在所述氧化区上的所述第二掺杂区中形成通孔，通过所述通孔暴露所述氧化区；以及通过所述通孔移除所述氧化材料。12.根据权利要求11所述的方法，还包括：在所述第二掺杂区上形成用于密封所述通孔的材料膜。13.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述单晶硅层包括：形成掺杂有第一掺杂剂的第一单晶硅层；在所述第一单晶硅层的顶表面下方形成氧化区；以及在所述第一单晶硅层上生长掺杂有第二掺杂剂的第二单晶硅层。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：朝所述第二单晶硅层延伸所述氧化区的一部分。15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述空置空间包括：从所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层的氧化区移除氧化材料。16.根据权利要求14所述的方法，其中朝所述第二单晶硅层延伸所述氧化区的所述部分包括...
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