【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种电容式传感器，所述电容式传感通过检测固定电极和可动电极之间的电容检测预定物理值。
技术介绍
传统地，具有一种电容式传感器，其中形成具有通过弹性件由固定部分支撑的可动电极的结构，可动电极可以根据外力移近或远离固定电极，检测这些电极之间的电容，从而检测例如加速度和角速度(參见专利文献I)的各种物理值。作为此电容式传感器，具有可以通过例如加速度的物理值的位移的一个质量部分检测在垂直轴的方向的物理值的公知的电容式传感器(參见专利文献2和专利文献3)。根据专利文献I的电容式传感器，弾性件形成作为从固定部分螺旋延伸的梁形成，而通过弾性件由固定部分可动支撑的可动电极主要在沿传感器(半导体层)的表面延伸的方向上位移。根据专利文献2和3的每个的电容式传感器，不对称的质量部分通过在対称的水平方向从称为支座部分的固定部分延伸的扭转梁支撑，使得失去质量平衡，而物理值可以根据在垂直方向増加的物理值通过由扭转梁造成的该质量部分的位置位移检测。根据专利文献2的电容式传感器，此电容式传感器通过加工金属材料形成。根据专利文献3，电容式传感器通过例如利用公知的半导体加工エ艺加工例...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2006.04.28 JP 2006-126437;2006.04.28 JP 2006-126871.一种电容式传感器，所述电容式传感器包括通过梁部分由半导体层的固定部分可动支撑的第一检测单元，使得保持不对称重量平衡，其中根据在半导体层的厚度方向的物理值的位移移动的第一可动电极、以及形成于支撑半导体层的支撑基板上的第一固定电极彼此相对，在第一可动电极和第一固定电极之间夹有间隙，而第一检测单元基于根据第一可动电极和第一固定电极的尺寸检测的电容来检测所述物理值，所述半导体层为单晶硅层，而电容式传感器包括第一可动电极的移动机构，所述第一可动电极的移动机构包括固定部分、梁部分以及通过垂直刻蚀单晶硅层形成的第一可动电极，所述第一可动电极位于具有短侧和长侧的矩形框架部分内，所述固定部分呈具有矩形横截面的柱形状，两个所述梁部分从与矩形框架部分的短侧相对的固定部分的一对侧壁大致平行地延伸，第一可动电极形成为以间隙环绕固定部分的外侧和梁部分，第一可动电极具有在矩形框架部分的长侧的一侧具有所述间隙的大致矩形的大板部分、以及在矩形框架部分的另一长侧的一侧具有所述间隙的大致矩形的小板部分，尺寸大于小板部分的所述大板部分的质量较大，第一可动电极通过具有不对称质量平衡的梁部分由所述固定部分可动支撑，所述小板部分和大板部分通过一对沿所述矩形框架部分的短侧方向延伸的连接部分彼此连接，所述梁部分分别连接到相应连接部分的支撑基板中心部分，所述第一固定电极包括与所述小板部分相对的与小板部分相对的第一固定电极、以及与所述大板部分相对的与大板部分相对的第一固定电 极，所述大板部分和小板部分相对于为扭转运动的中心的梁部分非对称形成，根据所述与小板部分相对的第一固定电极和所述与大板部分相对的第一固定电极相对于作为参考的对称轴的所述梁部分对称设置的状态考虑扭转中心的偏移量，所述与小板部分相对的第一固定电极和所述与大板部分相对的第一固定电极设置在支撑基板的下表面上，使得所...
【专利技术属性】
技术研发人员：古久保英一，若林大介，宫岛久和，大渕正夫，青木亮，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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