【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及检查装置和检查方法，它们用在磁传感器的检查例程中，特别是用于在预定环境条件下经由磁属性测试对磁传感器的晶片状阵列就它们的磁属性和灵敏度进行检查的例程中。本申请要求日本专利申请No. 2011-175337的优先权，其内容通过引用被包含在此。
技术介绍
根据常规已知的磁传感器的磁属性的检查例程，磁传感器每ー个被置于使用诸如亥姆霍兹线圈的磁场产生线圈产生的磁场中，并且随后进行测试以测量它们的输出信号。 检查在其封装中包围的每个单个磁传感器需要麻烦的处理，并且可能在通过检查被确定为有缺陷的磁传感器的装配成本上遭受资金损失。因为这个原因，有效的方式是集体检查磁传感器的晶片状阵列。已经在诸如PLT I和PLT 2的各种文件中开发和公开了用于检查磁传感器的晶片状阵列的各种技木。PLT I公开了磁传感器芯片的检查方法。在此，将测试探测器与磁传感器芯片接触，然后，在检查的准备阶段，将磁场产生器移动靠近磁传感器芯片。具体地说，线圈探測器的远端接近磁传感器，以便向磁传感器施加磁场，从而使用测试探測器来測量磁传感器的输出信号。线圈探測器的远端能够产生具有单向性的磁场。为...
【技术保护点】
一种磁传感器检查装置，包括：平台，所述平台用于在其上安装磁传感器的晶片状阵列，所述平台能够在水平方向和竖直方向上移动；探测器卡，所述探测器卡被定位为与所述平台相对，并且所述探测器卡配备了多个探测器，所述多个探测器与被包围在测量区域中的所述多个磁传感器接触；多个磁场产生线圈，所述多个磁场产生线圈被定位为围绕所述探测器卡和所述平台，以便朝向在所述平台上安装的所述多个磁传感器产生磁场；多个磁场环境测量传感器，所述多个磁场环境测量传感器被布置在围绕所述多个探测器的所述探测器卡的外围部分中；以及磁场控制器，所述磁场控制器用于基于所述多个磁场环境测量传感器的测量结果来控制由所述磁场产生线圈产生的磁场。
【技术特征摘要】
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