【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及直流稳态功率老化
，尤其涉及一种对GaN基器件直流稳态功率老化进行预筛选的方法。
技术介绍
稳态功率老化是在较长的时间内对器件连续施加一定的电应力，通过电、热综合作用来加速器件内部各种物理，化学过程，促使器件内部各种潜在缺陷及早暴露，从而达到剔除早期失效器件的目的。对工艺过程中可能存在的一系列缺陷，如表面玷污、沟道漏电、芯片裂纹、氧化层缺陷等，具有较好的筛选效果。半导体器件的可靠性通常由浴盆曲线的理想化曲线来表示，它由3个区域组成。在第一个区域，失效率随时间减小，称为早期失效期。在第2个区域，失效率达到恒定值，称 为恒定失效率期或使用寿命区。在第三个区域，失效率随时间增大，称为耗损失效期。在第一个区域也就是早期失效期内，器件参数不稳定，器件失效率高。之后在恒定失效率期内器件参数趋于稳定。早期失效期与恒定失效率期之间的时间点一般被称为阈值时间。在进行器件稳态直流功率老化的过程中，确定器件的早期失效期和使用寿命区之间的阈值时间，作为器件进行预筛选的一个依据，可以大大节省进行稳态直流老化的时间，并能保证器件在经过预筛选后达到平稳的使用寿命期，增加了...
【技术保护点】
一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，该方法包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件；在该被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件下对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间；以及...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵妙，刘新宇，郑英奎，彭铭曾，魏珂，欧阳思华，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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