一种新型RCD吸收电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型RCD吸收电路，包括有二极管D1、电容C1和电阻R1，其特征在于在二极管D1正端还串接一尺寸为1206或0805,阻值为47欧母以内的贴片电阻。本实用新型专利技术的优点在于：通过采用一SMD1206或0805的电阻来取代磁珠抑制EMI优点如下：1）方便产线作业，降低产线作业难度，同时可提升产品生产效率，降低制造成本；2）可提升产品生产效率，降低制造成本；3）由于SMD?1206、0805电阻价格低，不到磁珠一半，故可降低产品的设计成本；4）采用贴片电阻取代小磁珠抑制EMI，由于阻值容易挑选，故也增加了解决EMI的灵活性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示产品的电源适配器产品，具体的是涉及ー种新型RCD吸收电路。
技术介绍
如图I所示，图I为现有一反激式开关电源局部线路图，其电路中电阻R1、电容Cl、ニ极管Dl组成ー RCD吸收电路，该RCD吸收电路目的是为了吸收如图2 (Q1 MOS管漏极(Drain)对源极(Source)之间的电压波形)所示的Vpeak尖峰电压，以防止Ql MOS管在turn off时在该Ql MOS管漏极所产生的电压大于该MOS管规格最大耐压值，从而使得Ql MOS管漏极与源极之间被高电压所击穿。该尖峰电压是由Ql MOS管做turn off吋，变压器初级绕组的漏感所产生的电压Vpeak=Lk*di/dtLk----------反激式变压器初级侧绕组Np所产生的漏感·di/dt-------Ql Mos管turn off时流过漏感的电流变化率该RCD吸收电路动作原理为当Ql MOS管turn off时，在该MOS管的漏极与源极之间产生ー电压Vds=Vc2+VoR+VpeakVc2----------エ频高压大电容正端电压VoR----------Ql MOS管turn off时，变压器Tl次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型RCD吸收电路，包括有二极管D1、电容C1和电阻R1，其特征在于在二极管D1正端还串接一尺寸为1206或?0805，阻值为47欧母以内的贴片电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑琴，徐军，
申请(专利权)人：冠捷显示科技武汉有限公司，
类型：实用新型
国别省市：