一种新型RCD吸收电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型RCD吸收电路，包括有二极管D1、电容C1和电阻R1，其特征在于在二极管D1正端还串接一尺寸为1206或0805,阻值为47欧母以内的贴片电阻。本实用新型专利技术的优点在于：通过采用一SMD1206或0805的电阻来取代磁珠抑制EMI优点如下：1）方便产线作业，降低产线作业难度，同时可提升产品生产效率，降低制造成本；2）可提升产品生产效率，降低制造成本；3）由于SMD?1206、0805电阻价格低，不到磁珠一半，故可降低产品的设计成本；4）采用贴片电阻取代小磁珠抑制EMI，由于阻值容易挑选，故也增加了解决EMI的灵活性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示产品的电源适配器产品，具体的是涉及ー种新型RCD吸收电路。
技术介绍
如图I所示，图I为现有一反激式开关电源局部线路图，其电路中电阻R1、电容Cl、ニ极管Dl组成ー RCD吸收电路，该RCD吸收电路目的是为了吸收如图2 (Q1 MOS管漏极(Drain)对源极(Source)之间的电压波形)所示的Vpeak尖峰电压，以防止Ql MOS管在turn off时在该Ql MOS管漏极所产生的电压大于该MOS管规格最大耐压值，从而使得Ql MOS管漏极与源极之间被高电压所击穿。该尖峰电压是由Ql MOS管做turn off吋，变压器初级绕组的漏感所产生的电压Vpeak=Lk*di/dtLk----------反激式变压器初级侧绕组Np所产生的漏感·di/dt-------Ql Mos管turn off时流过漏感的电流变化率该RCD吸收电路动作原理为当Ql MOS管turn off时，在该MOS管的漏极与源极之间产生ー电压Vds=Vc2+VoR+VpeakVc2----------エ频高压大电容正端电压VoR----------Ql MOS管turn off时，变压器Tl次级侧绕组Ns的反射到初级侧绕组Np的电压由于此时Vds电压大于C2エ频高压大电容正端电压Vc2，故此时Ql漏极所产生的尖峰电压Vpeak通过ニ极管Dl正端100端流到电容Cl的101端；电容Cl将变压器Tl漏感产生的电能量存储到Cl电容上，在下一次Ql turn off之前将电容Cl所存储的能量全部经电阻Rl的102端泄放至103端最終到达エ频高压大电容C2的104正端；该尖峰电压经过RCD吸叫电路吸收之后，使得Ql MOS管的Drain端产生的最大电压低于MOS管本身规格耐压上限值且存在一定的电压裕度，确保MOS管工作在市电最高电压如264Vrms吋，MOS管也能安全的工作。然而，Ql Mos管在turn off时产生的高频尖峰电压流经ニ极管Dl到Cl电容的101 端时产生了较高的 di/dt 的 EMI (Electron-Magnetic Interference)能量。该ニ极管Dl目前通常选用如反向恢复时间在500纳秒(nS)以内，恢复时间(trr)较快的ニ极管(如型号为FR107)。由于该ニ极管反向恢复时间较快，当Ql Mos管turn off时，Mos管Ql的漏极的尖峰电压Vpeak所产生的尖峰电流从ニ极管Dl正端100端流向电容Cl的101端向Cl电容充电，电容Cl的101端电压上升；当Cl电容101端电压大于等于ニ极管Dl的100端电压时，由于ニ极管Dl存在很短的trr反向恢复时间，故此时ニ极管Dl产生ー个反向电流(參考图3波形，图3 CHl通道为流过ニ极管Dl的电流波形，其中二极管Dl的电压反向恢复时所产生的反向电流最大值为500mA ;而CH2通道为Ql Mos管漏扱-源极之间的电压波形)；该反向电流在ニ极管Dl内部所产生的较高的di/dt的EMI电磁辐射能量向空间辐射出去(所辐射出来的电磁能量通常会在30MHZ-100MHZ频率段之间)。这些EMI电磁辐射能量在EMI测试实验室内容易被测试天线所接收，往往会造成EMI辐射裕度不足甚至超出电源产品的规格之外，故电源工程师往往会在Dl ニ极管正端处套ー小磁珠(Bead)来解决EMI电磁辐射问题(如附图4所示)。此小磁珠抑制EMI电磁辐射原理如下參考附图5 (附图5为现有使用在反激式电源Dl ニ极管正端上的ー磁珠的频率与阻抗特性曲线图，其横坐标为频率，纵坐标为横坐标每ー频率对应的Bead的等效阻抗值)当ニ极管Dl电压反向时，所产生的高频的di/dt所处的频率为60MHZ通过该小磁珠Bead时，该小磁珠Bead产生一与ニ极管Dl串联的等效阻抗约为30欧母来阻挡高频的电流脉冲通过。即在ニ极管Dl正端套ー小磁珠Bead之后，使得由ニ极管Dl反向恢复所产生的高频电磁辐射的di/dt能量将会大大减小，从而提高了 EMI电磁辐射裕度(即降低了 EMI电磁辐射的能量)。附图6 CHl通道为ニ极管Dl正端套ー Bead之后流过ニ极管Dl的电流波形，其中由ニ极管Dl的反向恢复时所产生的反向电流最大值减小为390mA ;CH2通 道为Ql Mos管漏极-源极之间的电压波形。比较图3和图6可以看出，在ニ极管Dl正端套ー磁环Bead之后其反向恢复电流最大值从500mA减小到390mA，降低了ニ极管Dl所产生的高频电磁辐射的di/dt能量。在液晶显示产品小型化的电源适配器(adapter)中，由电源适配器内部PCB空间很小，为了尽量減少每个电子零件所占的空间，所使用的ニ极管Dl通常需先加工成如附图7所示的ニ极管，然后再将小磁珠套到ニ极管正端，这也大大增加了产线作业员的作业难度，最終造成电源适配器产品因人力成本及制造エ时上升，导致电源适配器制造总成本上升。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术而提出ー种新型RCD吸收电路，克服了现有电源适配器产品因ニ极管Dl反向恢复造成的EMI辐射问题需加増加磁珠Bead造成产线作业困难以及制造エ时上升，最終导致总成本上升的问题。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案是ー种新型RCD吸收电路，包括有ニ极管D1、电容Cl和电阻R1，其特征在于在ニ极管Dl正端还串接一尺寸为1206或0805，阻值为47欧母以内的贴片电阻。本技术的优点在于通过采用一 SMD 1206或0805的电阻来取代磁珠抑制EMI优点如下I) SMD贴片电阻可用SMD自动贴片机器进行快速贴到PCB板相对应的点位，方便产线作业，降低产线作业难度，同时可提升产品生产效率，降低制造成本；2)通过采用一 SMD 1206或0805的电阻来取代磁珠抑制EMI，若PCB板空间较大，ニ极管Dl仍可采用自动插件机器进行快速插件，可提升产品生产效率，降低制造成本；3)由于SMD 1206,0805电阻价格低，不到磁珠一半，故可降低产品的设计成本；4)采用贴片电阻取代小磁珠抑制EMI，由于阻值容易挑选，故也增加了解决EMI的灵活性。附图说明图I为现有一反激式开关电源局部线路图；图2为图I的Ql MOS管漏极(Drain)对源极(Source)之间的电压波形；图3为图I的CHl通道为流过ニ极管Dl的电流波形；图4为改进后的反激式开关电源局部线路示意图；图5为图4的频率与阻抗特性曲线图；图6为图4的CHl通道流过ニ极管Dl的电流波形；图7为图4的改进后的ニ极管；图8为本专利技术的电路图；图9为本专利技术的CHl通道波形为R3电阻取39欧母时ニ极管Dl电流波形图。具体实施方式·以下结合附图对本技术做进ー步详细的说明ー种新型RCD吸收电路，包括有ニ极管D1、电容Cl和电阻Rl，在ニ极管Dl正端还串接一尺寸为1206或0805，阻值为47欧母以内的贴片电阻(SMD Resistor)。如图8为ー新型具有较好抑制RCD吸收回路中由ニ极管Dl反向恢复时造成EMI电磁辐射问题的反激式电源局部电路图较佳实例。其中C2为エ频滤波大电容，C2电容为接收桥式全波整流电路(图式未画出)输出的直流脉动电压，并将该电压转成一具有较低电压纹波的直流电由变压器Tl初级侧绕组Np的307端提供给变压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型RCD吸收电路，包括有二极管D1、电容C1和电阻R1，其特征在于在二极管D1正端还串接一尺寸为1206或?0805，阻值为47欧母以内的贴片电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑琴，徐军，
申请(专利权)人：冠捷显示科技武汉有限公司，
类型：实用新型
国别省市：