具有涂层的物件及涂布方法技术

公开了一种具有涂层的物件以及用于涂布涂层的方法。所述物件可以包括基材以及形成于该基材上的含银涂层。在一些实施方式中，涂层包含银基合金，例如银-钨合金。在一些情况下，涂层可以包含至少两层。例如，涂层可以包括包含银基合金的第一层、以及包含贵金属的第二层。涂层可以显示理想的性质和特性，诸如耐久性(例如，耐磨性)、硬度、耐腐蚀性、和高导电性，这些性质和特征例如在电气用途和/或电子用途中是有利的。在一些情况下，可以利用电沉积工艺来涂布涂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及具有涂层的物件及相关方法。在一些实施方式中，所述涂层是金属且通过电沉积涂布。
技术介绍
可以将许多类型的涂层涂布在基材上。电沉积是用于沉积这种涂层的常用技术。电沉积通常涉及到向置于电沉积浴中的基材施加电压从而还原电沉积浴中的金属离子，其以金属或金属合金涂层的形式沉积在基材上。可以利用电源在阳极与阴极之间施加电压。阳极或阴极中的至少一个可用作被涂布的基材。在一些电沉积工艺中，诸如在电脉冲沉积、交流电沉积、或反向脉冲沉积中，可以以复杂波形施加电压。可以利用例如电沉积的工艺来沉积贵金属和贵金属合金涂层。在一些用途中，由·于反复摩擦表面因而涂层会至少部分地磨损。这种作用是不受欢迎的，特别是当涂布涂层至少部分是为了改善导电性的场合，因为此作用会增加涂层的电阻。
技术实现思路
本专利技术提供具有涂层的物件及相关方法。在一个方面中，提供一种沉积涂层的方法。该方法包括提供阳极、阴极、与阳极和阴极相联的电沉积浴、以及连接到阳极和阴极的电源。该方法还包括驱动电源以使涂层电沉积在基材上。所述涂层包含银基合金。该银基合金还包含钨和/或钥。银基合金具有小于I微米的平均粒径。在另一方面中，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.12 US 12/723,020;2010.03.12 US 12/723,0441.一种沉积涂层的方法，包括 提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相联的电沉积浴、以及连接到所述阳极和所述阴极的电源；以及 驱动所述电源以在基材上电沉积涂层，所述涂层包含银基合金，所述银基合金还包含钨和/或钥，其中所述银基合金具有小于I微米的平均粒径。2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述银基合金包含O.I原子百分率至50原子百分率的钨和/或钥。3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述银基合金具有小于IOOnm的平均粒径。4.根据权利要求I所述的方法，其中，所述涂层的厚度大于约5微英寸。5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述基材包含铜。6.根据权利要求I所述的方法，其中，所述涂层包括多层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多层中的至少一层包含所述银基合金。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多层中的至少一层包含Ru、Os、Rh、Re、Ir、Pd、Pt、Ag、Au、或其组合。9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多层中的至少一层包含Ni和/或Co。10.根据权利要求I所述的方法，其中，所述涂层包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述基材上并且所述第二层形成在所述第一层上。11.根据权利要求I所述的方法，其中，所述银基合金的平均粒径小于所述涂层厚度的50%。12.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴包含银离子以及钨和/或钥离子。13.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴包含烷羟基羧酸。14.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴包含取代吡啶化合物。15.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴包含含有酰亚胺官能团的化合物。16.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴具有从大约7.O至9. O的pH值。17.根据权利要求I所述的方法，其中，所述浴为水溶液。18.—种沉积涂层的方法，包括 提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相联的电沉积浴、以及连接到所述阳极和所述阴极的电源；以及 驱动所述电源以在基材上电沉积涂层，所述涂层包含银基合金，所述银基合金还包含钨和/或钥，其中钨和/或钥在所述银基合金中的浓度在O. I原子百分率和50原子百分率之间。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述银基合金的平均粒径小于I微米。20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述基材包括铜。21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述涂层包括第一层和二层，所述第一层包含所述银基合金。22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第二层包含Ru、Os、Rh、Re、Ir、Pd、Pt、Ag、Au、或其组合。23.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一层形成在所述基材上，并且所述第二层形成在所述第一层上。24.根据权利要求18所述的方法，其中，所述浴包含银离子以及钨和/或钥离子。25.根据权利要求18所述的方法，其中，所述浴包含取代吡啶化合物。26.根据权利要求18所述的方法，其中，所述浴包含含有酰亚胺官能团的化合物。27.根据权利要求18所述的方法，其中，所述浴为水溶液。28.一种形成电连接器的方法，包括 提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相联的电沉积浴、以及连接到所述阳极和所述阴极的电源； 驱动所述电源以在导电性基材上电沉积涂层，所述涂层包含银基合金，所述银基合金还包含钨和/或钥；以及 由所述被涂层的导电性基材形成电连接器。29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述银基合金包含O.I原子百分率至50原子百分率的钨和/或钥。30.根据权利要求28所述的方法，其中，所述银基合金的平均粒径小于I微米。31.根据权利要求28所述的方法，其中，所述涂层的厚度大于约5微英寸。32.根据权利要求28所述的方法，其中，所述导电性基材包含铜。33.根据权利要求28所述的方法，其中，所述涂层包括第一层和第二层，所述第一层包含所述银基合金。34.根据权利要求33所述的方法，其中，所述第二层包含Ru、Os、Rh、Re、Ir、Pd、Pt、Ag、Au、或其组合。35.根据权利要求33所述的方法，其中，所述第一层形成在所述基材上，并且所述第二层形成在所述第一层上。36.根据权利要求28所述的方法，其中，所述浴包含银离子以及钨和/或钥离子。37.根据权利要求28所述的方法，其中，所述浴包含取代吡啶化合物。38.根据权利要求28所述的方法，其中，所述浴包含含有酰亚胺官能团的化合物。39.根据权利要求28所述的方法，其中所述浴为水溶液。40.一种沉积涂层的方法，包括 提供阳极、阴极、与所述阳极和所述阴极相联的电沉积浴、以及连接到所述阳极和所述阴极的电源； 驱动所述电源以在基材上电沉积涂层，所述涂层包含银基合金，所述银基合金还包含钨和/或钥，其中从水溶液沉积所述涂层。41.根据权利要求40所述的方法，其中，所述银基合金包含O.I原子百分率至50原子百分率的钨和/或钥。42.根据权利要求40所述的方法，其中，所述银基合金的平均粒径小于I微米。43.根据权利要求40所述的方法，其中，所述导电性基材包含铜。44.根据权利要求40所述的方法，其中，所述涂层包括第一层和二层，所述第一层包含所述银基合金。45.根据权利要求44所述的方法，其中，所述第二层包含Ru、Os、Rh、...

【专利技术属性】
技术研发人员：娜兹拉·戴德范德，克里斯托弗·A·舒，艾伦·C·伦德，乔纳森·C·特伦克尔，约翰·克海伦，
申请(专利权)人：克斯塔里克公司，
类型：
国别省市：