高端封装银合金键合丝及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种高端封装银合金键合丝，其特征在于：该银合金键合丝包括：金0.0001%~20%，还可选包括：钯0.0001%~20%、铂0.0001%~20%、锗0.0001%~0.015%、钙0.0001%~0.015%、铝0.0001%~1%中的一种或一种以上，其余为银。本发明专利技术还公开一种上述高端封装银合金键合丝的制备方法，本发明专利技术高端封装银合金键合丝具有高强度、低硬度，低长弧度的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及键合丝
，具体涉及一种高端封装(晶片级封装CSP，即高密度，小巧扁薄的封装设计例如FBGA，QFN,基板封装等称为高端封装)用银合金键合丝及其制备方法。
技术介绍
传统的键合丝，通常采用纯金材料，纯金焊线具有伸长率和电导率更好的物理性能。然而，纯粹的金焊线必然导致成本高。近几年铝键合丝的应用有进一步扩大的趋势，但是铝键合丝存在硬度高，容易氧化的风险，仅在中低端的封装上引用比较广。镀钯线是为了解决铝线容易氧化的问题而推出的新的键合线，但是解决不了硬度高的问题，镀钯以后硬度反而更高，高端封装没有办法应用。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的上述不足，提供一种高强度、低硬度，低长弧度的高端封装银合金键合丝。为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案为一种银合金键合丝，该银合金键合丝包括金O. 0001% 20%，还可选包括钯O. 0001% 20%、钼O. 0001% 20%、锗O.0001% 0· 015%、钙O. 0001% 0· 015%、铝O. 0001% 1%中的一种或一种以上，其余为银。上述各组分均为重量百分含量计算。本专利技术所要解决的另一技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高端封装银合金键合丝，其特征在于：该银合金键合丝包括：金0.0001%~20%，还可选包括：钯0.0001%~20%、铂0.0001%~20%、锗0.0001%~0.015%、钙0.0001%~0.015%、铝0.0001%~1%中的一种或一种以上，其余为银。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李天祥，郑康定，郑芳，郑磊，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：