一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法技术

本发明专利技术公开了一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底及采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列步骤。由本发明专利技术方法生长的碳纳米管阵列的高度可达80～300μm，直径达6～20nm，少壁且每根碳纳米管均与集流器直接牢固结合。经实验得知：所制备的碳纳米管阵列负极材料在低速和高速充放电条件下均具有高比容量，循环稳定性好。且本发明专利技术方法具有工艺简单、设备要求低等优点，所制备的碳纳米管阵列具有作为支架加载其它活性材料制备高性能复合电极材料的巨大潜力，具有十分广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种碳纳米管阵列的生长方法，具体说，是涉及，属于电池负极材料制备

技术介绍
便携式电子产品以及电动汽车等产品的迅速发展对拥有高容量、高功率、高循环性能的锂离子电池产生了巨大的市场需求，但目前的锂离子电池通常采用石墨化碳负极材料，受其理论比容量372mAh/g的限制，所得电池性能难以满足应用要求。而碳纳米管由于具有优异的电学性能、高比表面积和大长径比等特点，作为活性材料应用于锂离子电极材料的研究中受到越来越广泛的关注。目前碳纳米管在锂离子电池中的应用主要有将其单独作为电池负极材料和将其 作为导电剂或导电支架与其它活性材料相结合制成复合电极材料两种方式。碳纳米管单独作为负极材料应用于锂离子电池中主要有两种引入方式(I)在碳纳米管中添加粘结剂，经球磨后直接涂覆于集流器表面该方法工艺传统、成本低、可大规模生产，但所得电极比容量低、高充放电速率下性能差(Carbon, 40(10):1775 - 87(2002)及 Carbon, 47(13):2976 - 83(2009) ·)。(2)直接在集流器上生长碳纳米管，具体可以原位生长无序碳纳米管，也可以利用原位生长碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在金属集流器上原位生长碳纳米管阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)制备具有催化剂层/缓冲层/金属箔三层结构的基底；b)采用热CVD法在上述基底上原位生长碳纳米管阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冷越，董绍明，胡建宝，王震，丁玉生，何平，高乐，张翔宇，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：