【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于锂电池用负极材料
，特别是涉及一种。
技术介绍
自上世纪九十年代，Sony公司使用片层石墨代替安全性极差的金属Li,制备成功第一种可充的锂离子二次电池以来，锂离子电池因其高比能量，无污染，应用范围得到了飞速发展，已从移动通讯电源、笔记本电脑、摄像机等扩大到电动工具、电动汽车等领域。而现有的碳负极的电化学容量偏低，不能满足科技发展的对便携二次电池性能的进一步要求。硅材料由于其电化学可逆容量高，安全性好，资源丰富等优势，已成为锂离子二次电池负极材料的首选材料。作为锂离子电池的硅材料具有极高的理论电化学容量，但硅材料在电化 学嵌锂过程中的体积变化过大，首次充放电效率较低，严重阻碍该电极材料的实际应用。目前，通常采用磁控溅射，化学气相沉积，热蒸发方法制备硅纳米薄膜，硅纳米颗粒，娃纳米线，实现了娃材料的纳米化技术，减小了娃材料在电化学嵌锂反应过程中的内应力变化，提高了首次充放电效率和循环稳定性。但是采用上述方法不仅提高了电池负极材料的制作成本，而且存在硅基材料的涂覆效果差、振实及压实密度低的问题，不适合大规模商业应用的需要。
技术实现思路
本专利技术为解决...
【技术保护点】
锂离子电池用硅基负极材料的制备方法，其特征在于：制备过程包括以下步骤：步骤1、将质量比5?10:5?10:15?30:1?2的硅基材料、碳材料、碳的前驱体和锂盐添加剂混合，在溶剂中液相搅拌球磨1?100h，加热抽离溶剂，得到前驱体；步骤2、将前驱体置于高温炉中，惰性气氛下1?10℃/min升温到500?1200℃，高温烧结3?24h，自然降温冷却后即可制得硅的复合包覆材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢志威，孙文彬，彭庆文，任丽彬，许寒，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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