用于高分辨率构件图案化的交联和多相蚀刻糊制造技术

本发明专利技术涉及用于无机氧化物和硅表面的改进的蚀刻并能够制备更小构件的具有非牛顿流动性质的适印的均匀蚀刻糊形式的新型蚀刻介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于无机氧化物和硅表面的改进的蚀刻并能够制备更小构件(feature)的具有非牛顿流动性质的可印的均勻蚀刻糊形式的新型蚀刻介质。
技术介绍
当今的光生伏打系统主要基于使用结晶硅、薄膜和集中器光生伏打技术。不久前，已开发出用于简化在半导体器件中以高分辨率制造电子结构的方法的技术和组合物。尤其是适合通过直接印刷到要蚀刻的表面区域上来施加的蚀刻糊的发展简化了结构化工艺，因为可省去在蚀刻过程中应保持不被触及的区域上施加保护树脂层。所述新型蚀刻组合物可以以高分辨率印刷。适用的蚀刻糊以商标Isishape "出售。德国公司 Merck已开发出用于通过各种沉积法将蚀刻构件图案化至40微米的这类蚀刻糊。这些蚀刻糊为需要光刻抗蚀掩模和接着浴蚀刻的传统方法提供了低成本和环保的替代方案。过去公开了一些专利和专利申请(US 2004/0242019A1, US2006/0118759A1,US2005/0247674AU US 2003/0160026A1 和 US2003/019332A1 )，它们公开了蚀刻组合物，但这些组合物均不适合蚀刻小于40微米的小构件。MM在Isishape 蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·吉利斯，R·屈格勒，E·斯特恩，B·迈耶斯，P·罗伊斯特，L·亨廷，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，纳诺特拉公司，
类型：
国别省市：