一种电抗器隔离的矿用变频器调速装置制造方法及图纸

技术编号:8343812 阅读:201 留言:0更新日期:2013-02-17 14:27
本实用新型专利技术公开了一种电抗器隔离的矿用变频器调速装置,包括用于放置元器件的两个腔室;在所述两层腔室之间,具有用于隔热的隔离层,两层腔室形成上下层结构。输入电抗器、输出电抗器、进线腔、出线腔等位于上层隔离腔室内。功率器件及水冷系统放在下层主腔室内。隔离腔室和主腔室之间装有隔热板,同时两电抗器用绝缘导热材料进行浇铸。本结构方案简单,隔离腔室和主腔室的散热相对隔开,系统的稳定性大大加强。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种矿用机电设备,特别是一种电抗器隔离的矿用变频器调速装置
技术介绍
·随着变频技术的不断发展,在很多场合对功率的要求越来越大,功率越大,意味着热量越高,因此散热问题成了结构设计的关键。另,影响变频器腔内温度的不仅仅是功率器件的发热,随着功率的增大,输入电抗器、输出电抗器等发热也不容忽视。传统技术的散热解决方案主要采用热管散热和水冷散热两种方式,但是以上两种方式在系统内所占的体积都较大,且不能有效降低变频器腔内的温度。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的在于提供一种电抗器隔离的矿用变频器的调速装置,以解决上述散热方式不能有效降低变频器腔内的温度的问题。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案一种电抗器隔离的矿用变频器的调速装置,包括用于放置元器件的两个腔室;在所述两层腔室之间,具有用于隔热的隔离层。优选地,所述隔离层包括至少一层隔热板。优选地,所述隔热板的材质为环氧板或PC板。优选地,所述两层腔室形成上、下层结构;所述上层腔室为上层隔离腔室;所述上层隔离腔室的兀器件至少包括一个输入电抗器和一个输出电抗器。优选地,所述输入电抗器和输出电抗器的外表面具有浇铸形成的绝缘导热材料体。优选地,所述绝缘隔热材料体为有机硅弹性体。 优选地,所述有机硅弹性体为RTV硅橡胶或LTV硅凝胶。优选地,下层腔室安装有为元器件散热的水冷系统。相对于现有技术,本技术具有以下优点将上层腔与下层腔采用隔热板进行隔离,形成隔热层。进一步地,将上层腔的主要发热器件电抗器采用绝缘导热材料进行浇铸,这种设计的好处是,可以很有效隔离上下层腔室工作时产生的热量,从而在保证系统工作稳定性的同时不增加产品的成本。附图说明图I为本技术的结构示意图。具体实施方式为清楚说明本技术中的技术方案,下面给出优选的实施例并结合附图详细说明。参见图1,为本技术优选的实施例的结构示意图,本实施例所涉及的矿用变频器调速装置为包括用于放置元器件的两个腔室,在本优选实施例中为上下层的结构,上层腔体为隔离腔7,下层腔体为主腔室6,隔离腔7与主腔室6之间有一个隔热材料层5作为隔离层,隔热材料层5可根据现场的散热环境进行层数的增删,易用性强,隔热板材料一般选用有环氧板或PC板等。优选地,隔热材料层可安装多层,各层的隔热板材料可以相同,也可以不同。隔离腔 7包括两个电抗器和两个线腔,分别是输入电抗器12、输出电抗器11、进线腔4和出线腔2。两个电抗器的外表面用绝缘导热材料3进行浇铸,所浇铸的绝缘导热材料一般选用有机硅弹性体等,例如RTV硅橡胶、LTV硅凝胶等,这些绝缘导热浇铸材料不影响上层腔器件的导电性,但却能将电抗器工作时产生的热量相对快速散出去,因为该材料的冷却性比空气的冷却性要好,进一步地上下层腔室之间装有隔热材料层,因此上层腔的元器件在工作时产生的热量不会传导至下层主腔室6里。优选地,在下层主腔室6中,安装有为元器件散热的水冷系统和功率器件。本技术的装置,通过将多个元器件分别放置上下两层腔室内,并在两层之间形成隔离层用于隔热,从而可有效避免上层腔的元器件的热量传导至下层腔室,导致下层腔室工作不稳定。本技术由于对上层腔室中的电抗器进行浇铸绝缘导热材料,从而可实现进一步将上层腔室元器件的热量相对快速散发到外界,避免由于热量堆积导致的元器件工作性能不稳定。对于本技术各个实施例中所阐述的装置,凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电抗器隔离的矿用变频器调速装置,其特征在于,包括用于放置元器件的两个腔室;在所述两层腔室之间,具有用于隔热的隔离层。

【技术特征摘要】
1.一种电抗器隔离的矿用变频器调速装置,其特征在于,包括用于放置元器件的两个腔室;在所述两层腔室之间,具有用于隔热的隔离层。2.根据权利要求I所述的装置,其特征在于,所述隔离层包括至少一层隔热板。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述隔热板的材质为环氧板或PC板。4.根据权利要求I所述的装置,其特征在于,所述两个腔室形成上、下层结构; 上层腔室为上层隔离腔室; 所述上层隔离腔室的元...

【专利技术属性】
技术研发人员:田建业刘学良黄小光苏位峰卫三民苟锐锋李侠
申请(专利权)人:中国西电电气股份有限公司北京西电华清科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1