【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,TFT-LCD)制造工艺的基板电路电学特性测试领域,特别涉及TFT阵列的检测设备-阵列测机台(Array tester)的探针框架。
技术介绍
TFT-IXD制造过程大概可以分为三个阶段(I)TFT阵列工艺即简称Array工艺,在一张较大的玻璃基板上形成若干独立的TFT阵列电路形成TFT阵列基板,每个像素阵列区对应一个液晶显示屏(panel);(2)对盒工艺,在TFT阵列基板上涂布液晶,覆盖彩色滤光片,对盒成IXD面板并切割成独立的液晶显示屏;(3)模组工艺,为液晶显示屏安装背光源,偏振片以及周边电路,形成完整的TFT-LCD显示模块。在Array工艺中,通过半导体中常用的掩膜-曝光工艺,在玻璃基板上形成TFT阵列电路,TFT阵列电路的优劣直接决定了 TFT-IXD的品质,因此对于TFT阵列电路、即TFT阵列基板的检测也就成为制造流程中的重要工序。图I为传统的阵列检测设备的结构示意图,采用传统阵列检测设备进行TFT阵列基板检测时,探针框架5 ...
【技术保护点】
一种TFT阵列检测框架,其特征在于,包括:主框架(9)、固定支架(10)、紧固件(11)、外部信号输入端子(12)、滑动杆(13)、弹性导电部件(14);在固定支架(10)上开有多个并列的调节孔(15),紧固件(11)穿过调节孔(15)将主框架(9)和固定支架(10)连接在一起;外部信号输入端子(12)的头部与弹性导电部件(14)接触,尾部与位于固定支架(10)上的滑动杆(13)连接;弹性导电部件(14)固定在固定支架(10)内侧,由导电弹性导电部件和绝缘弹性导电部件相互间隔组成。
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列检测框架,其特征在于,包括主框架(9)、固定支架(10)、紧固件(11)、外部信号输入端子(12)、滑动杆(13)、弹性导电部件(14); 在固定支架(10)上开有多个并列的调节孔(15),紧固件(11)穿过调节孔(15)将主框架(9)和固定支架(10)连接在一起; 外部信号输入端子(12)的头部与弹性导电部件(14)接触,尾部与位于固定支架(10)上的滑动杆(13)连接; 弹性导电部件(14)固定在固定支架(10)内侧,由导电弹性导电部件和绝缘弹性导电部件相互间隔组成。2.根据权利要求I所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:裴晓光,林子锦,田震寰,赵海生,杨魏松,
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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