【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体的讲是涉及一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法。
技术介绍
半导体器件的制作一般使用绝缘娃(Silicon on insulator, SOI)、块状娃 (BulkSilicon)、或者锗(Germanium, Ge)为衬底。典型的半导体器件包括二极管、三极管。 半导体器件，在工作时会产生热量，从而使包括半导体器件内部的温度升高，为此，人们想测得半导体器件的温度值。由于半导体器件的温度是有限度的，当温度达到一定数值时， 半导体器件就会被击穿，从而失去了半导体器件的功能作用。如图I所示，现有技术中，基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，一般是采用高低不同的电压值V加载到三极管的栅极电阻的两个固定端，经过多次测量后计算出每个电压值施加到三极管的栅极电阻的两个固定端的电流值，再通过电流和温度的换算关系，得到半导体器件的温度值的。 此种半导体器件的温度的测量方法，其缺点在于高低不同的电压值始终施加在LDMOS三极管的栅极电阻的两个固定端，由此LDMOS三极管一直处于高电平状态，则此LDMOS三极管可能会被多次加入...
【技术保护点】
一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于：采用相同或不同的电压值（VG）加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端；再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值（VG）后的电流值；之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。
【技术特征摘要】
1.一种基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，所述半导体器件，包括LDMOS三极管，其特征在于 采用相同或不同的电压值(Ve)加载到LDMOS三极管的栅极电阻的两个非固定端； 再根据欧姆定律计算出每次施加在所述栅极电阻的两个非固定端电压值(Ve)后的电流值； 之后根据电流与温度的换算关系，计算出所述半导体器件的温度值。2.根据权利要求I所述的基于LDMOS工艺制作的半导体器件的温度测量方法，其特征在于所述两个非...
【专利技术属性】
技术研发人员：许丹，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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