【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无机功能材料的形貌控制合成中，P型半导体氧化物的形貌控制及与其它N型半导体形成复合核壳结构的方法
技术介绍
氧化亚铜、氧化铜是很好的P型半导体，可以应用于太阳能转换、微电子、磁存储、催化、气敏等领域。尺寸达到纳米级之后，因其较大的比表面积和优良的表面物理化学性质使其在太阳能电池、微电子器件、气体催化、气敏传感器等方面有许多很有潜力的应用。到目前为止，国内外研究报道主要集中于对其纳米形貌的控制。氧化亚铜的纳米线、纳米晶须、纳米立方块等形貌已有相关的研究报道或者专利。如国内钱逸泰小组合成出了微米单晶立方块。国外Zeng等报道了氧化铜微球和氧化亚铜空心球。虽然氧化亚铜微米球在国外已有报道，但是反应温度高，反应时间长，不利于大规模生产。而低温合成单分散(尺寸和形貌均一)的氧化亚铜纳米球国内外尚未有报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低温快速合成准单分散的氧化亚铜纳米球的方法，该方法可以在低温下，利用简单的回流装置和廉价易得的原料，大量合成准单分散的氧化亚铜纳米球。由于尺寸和形貌均一，得到的氧化亚铜可以在硅片或者导电玻璃上形成两维或者三维...
【技术保护点】
一种合成准单分散氧化亚铜的方法，其特征在于，它依次含有以下步骤：１）在可与水互溶的有机溶剂中溶解铜盐，配成浓度为０．０２５～０．２ｍｏｌ／ｌ的铜离子溶液；２）在上述铜离子溶液中加入非离子性表面活性剂，搅拌溶解，非离子性表面活性剂的浓度为０．００５～０．０５ｍｏｌ／ｌ；３）在上述第２）步配制的溶液中加入强还原剂，强还原剂浓度为０．０２５～０．２ｍｏｌ／ｌ；４）将上述第３）配制的溶液恒温在７０～９０℃之间，在敞开体系中回流，得到准单分散的氧化亚铜纳米球。
【技术特征摘要】
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