【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构，其特征在于：它包括一个NMOS开关管（N1）、一个反相器（INV）、一个电阻（R0）、一个电容（C），所述NMOS开关管（N1）栅极为开关控制信号D的输入端，漏极与电容（C）的一端连接，源极和衬底都接电源地（GND），所述反相器（INV）的输入为开关控制信号D的输入端，输出接电阻（R0）的一端，电阻（R0）的另一端接NMOS开关管的漏极，电容的另一端为开关电容的输出端OUT。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭斌，
申请(专利权)人：长沙景嘉微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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