下载一种寄生效应低品质因子高的改进型开关电容结构的技术资料

文档序号:8302192

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构。相对于由一个NMOS管和一个电容实现的传统开关电容结构,本开关电容结构主要进行了如下改进:将NMOS管的栅极电压通过一个反相器和一个电阻连接到NMOS管的漏极,降低了开关管开启时的...
该专利属于长沙景嘉微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长沙景嘉微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。