一种最大电压选择电路及子选择电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种最大电压选择电路及子选择电路，该最大电压选择电路包括外围信号电路和N路输入电压的选择电路，所述外围信号电路向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压；所述选择电路中有N个子选择电路，N路输入电压对应接入N个子选择电路，各子选择电路根据工作模式信号确定自身的工作模式，在所述工作模式下，当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出；通过本实用新型专利技术的方案，可以提高输出电压的驱动能力，能够在多路电压间电压差值较小或相等时，保证输出电压正常。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电压选择技术，尤其涉及一种最大电压选择电路及子选择电路。
技术介绍
集成电路中往往需要使用最大电压选择电路，最大电压选择电路的主要功能是从多个已有的电压中选择一个最大电压输出，供集成电路中的其他电路使用。图I为三路电压的最大电压选择电路，如图I所示，当第一输入电压VCC1、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3之间的电压差值较大时，该最大电压选择电路能够选择最大的电压作为输出电压VMAX。但是，由于一般情况下第一输入电压VCCl、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3均不为0，这样，以第一输入电压VCC1、或第二输入电压VCC2、或第三输入电压VCC3为栅极电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将导致输出 电压VMAX的驱动能力不足；并且，当第一输入电压VCC1、第二输入电压VCC2和第三输入电压VCC3之间的电压差值较小或相等时，所述最大电压选择电路中的PMOS不能正常工作，不能产生输出电压VMAX。
技术实现思路
为解决现有技术存在的问题，本技术的主要目的在于提供一种最大电压选择电路及子选择电路。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的本技术提供的一种子选择电路，该子选择电路包括工作模式信号为使能信号时工作，且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将自身的输入电压作为最大电压输出的使能模式电路；所述使能模式电路采用比较器结构；工作模式信号为去使能信号时工作,且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出的去使能模式电路；所述去使能模式电路采用电力闩锁结构。本技术提供的一种最大电压选择电路，该最大电压选择电路包括具有N路输入电压的选择电路；向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压的外围信号电路；所述选择电路包括N个子选择电路，N路输入电压对应接入N个子选择电路；所述各子选择电路均为根据工作模式信号确定自身工作模式，并在所述工作模式下，当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出的子选择电路。本技术提供的最大电压选择电路及子选择电路，该最大电压选择电路包括外围信号电路和N路输入电压的选择电路，所述外围信号电路向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压；所述选择电路中有N个子选择电路，N路输入电压对应接入N个子选择电路，各子选择电路根据工作模式信号确定自身的工作模式，在所述工作模式下，当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出；如此，可以提高输出电压的驱动能力，能够在多路电压间电压差值较小或相等时，保证输出电压正常。并且，本技术可以根据需要比较的电压的多少设置子选择电路，使所述最大电压选择电路的设计和应用更加灵活。附图说明图I为现有技术中一种三路电压的最大电压选择电路示意图；；图2为本技术提供的一种子选择电路的结构示意图；·图3为本技术提供的第一子选择电路的具体结构示意图；图4为本技术提供的一种最大电压选择电路的结构示意图；图5为本技术提供的三路输入电压的最大电压选择电路的具体结构示意图；图6为本技术中最大电压选择的方法流程示意图；图7为本技术提供的最大电压选择电路工作在去使能模式时的工作状态示意图；图8为本技术提供的最大电压选择电路工作在使能模式时的工作状态示意图。具体实施方式本技术的基本思想是由外围信号电路和N路输入电压的选择电路构成最大电压选择电路，所述外围信号电路向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压；所述选择电路中有N个子选择电路，N路输入电压对应接入N个子选择电路，各子选择电路根据工作模式信号确定自身的工作模式，在所述工作模式下，当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出。下面通过附图及具体实施例对本技术做进一步的详细说明。本技术实现一种子选择电路，如图2所示，该子选择电路包括使能模式电路21和去使能模式电路22 ;其中，使能模式电路21，配置为在工作模式信号为使能信号时工作，采用比较器结构，当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出；去使能模式电路22，配置为在工作模式信号为去使能信号时工作，采用电力闩锁(Power Latch)结构，当自身输入电压大于参考电压时,设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出；所述工作模式信号为在电路中有偏置电流时，以高电平为使能信号；在电路中没有偏置电流时，以低电平为去使能信号；所述参考电压为反馈电压与相关电路电压的和。所述反馈电压为根据工作模式信号反馈的最大电压选择电路的输出电压。在输入电压有三路时，三路输入电压对应接入三个上述子选择电路，其中，第一输入电压VCCl接入第一子选择电路，第二输入电压VCC2接入第二子选择电路，第三输入电压VCC3接入第三子选择电路。以接入第一输入电压VCCl的第一子选择电路为例，所 述第一子选择电路如图3所示,包括第一电阻R31、第二电阻R32、第三电阻R33、第一 PMOS P31、第二 PM0SP32、第三PMOS P33、第四 PMOS P34、第五PMOS P35、第六PMOS P36、第七PMOS P37、第一NMOS N31、第二 NMOS N32、第三 NMOS N33、第四 NMOS N34、第五 NMOS N35、第六 NMOS N36、反相器 OPl ；其中，并联的第一电阻R31和第二电阻R32的一端连接第一输入电压VCC1,另一端连接第一PMOS P31的源极，第一PMOS P31的栅极连接反馈电压VPB，第一PMOS P31的漏极为自身状态节点VOl，连接第三PMOS P33的漏极、第六PMOS P36的漏极、反相器OPl的输入端、第一 NMOS N31的漏极、第三NMOS N33的漏极、第五NMOS N35的漏极；第一 NMOS N31的栅极连接与工作模式信号VEN对应的控制信号VNB和第四NMOS N34的栅极，第一 NMOS N31的源极连接第二 NMOS N32的漏极和第四NMOS N34的源极；第二 NMOS N32的栅极连接工作模式信号VEN，源极连接接地电压VSS ;第三NMOS N33的栅极为接收第二子选择电路的状态的节点V02，第三NM0SN33的源极连接第四NMOS N34的漏极、第五NMOS N35的源极和第六NM0SN36的漏极；第五NMOS N35的栅极为接收第三子选择电路的状态的节点V03 ;第六NMOS N36的源极通过第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种子选择电路，其特征在于，该子选择电路包括：工作模式信号为使能信号时工作，且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将自身的输入电压作为最大电压输出的使能模式电路；所述使能模式电路采用比较器结构；工作模式信号为去使能信号时工作，且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出的去使能模式电路；所述去使能模式电路采用电力闩锁结构。

【技术特征摘要】
1.一种子选择电路，其特征在于，该子选择电路包括 工作模式信号为使能信号时工作，且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)将自身的输入电压作为最大电压输出的使能模式电路；所述使能模式电路采用比较器结构； 工作模式信号为去使能信号时工作，且当自身输入电压大于参考电压时，设置自身的状态为输出使能状态，设置除自身外的子选择电路的状态为输出停止状态，并通过PMOS将自身的输入电压作为最大电压输出的去使能模式电路；所述去使能模式电路采用电力闩锁结构。2.根据权利要求I所述的子选择电路，其特征在于，所述使能信号为高电平；所述去使能信号为低电平。3.根据权利要求2所述的子选择电路，其特征在于，该子选择电路为第一子选择电路时，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一 PM0S、第二 PM0S、第三PM0S、第四PM0S、第五PM0S、第六PM0S、第七PM0S、第一 N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)、第二 NM0S、第三NM0S、第四NM0S、第五NM0S、第六NM0S、反相器；其中，并联的第一电阻和第二电阻的一端连接第一输入电压，另一端连接第一 PMOS的源极，第一 PMOS的栅极连接反馈电压，第一PMOS的漏极为自身状态节点V01，连接第三PMOS的漏极、第六PMOS的漏极、反相器的输入端、第一 NMOS的漏极、第三NMOS的漏极、第五NMOS的漏极；第一 NMOS的栅极连接与工作模式信号对应的控制信号和第四NMOS的栅极，第一 NMOS的源极连接第二 NMOS的漏极和第四NMOS的源极；第二 NMOS的栅极连接工作模式信号，源极连接接地电压；第三NMOS的栅极为接收第二子选择电路的状态的节点V02，第三NMOS的源极连接第四NMOS的漏极、第五NMOS的源极和第六NMOS的漏极；第五NMOS的栅极为接收第三子选择电路的状态的节点V03 ;第六NMOS的源极通过第三电阻连接接地电压，第六NMOS的栅极连接工作模式信号的反信号；第二 PMOS的源极连接第一输入电压，第二 PMOS的栅极连接工作模式信号和第四PMOS的栅极，第二 PMOS的漏极连接第三PMOS的源极；第三PMOS的栅极连接反馈电压；第四PMOS的源极连接第一输入电压，第四PMOS的漏极连接第五PMOS的源极；第五PMOS的栅极为接收第三子选择电路的状态的节点V03，第五PMOS的漏极连接第六PMOS的源极；第六PMOS的栅极为接收第二子选择电路的状态的节点V02 ;第七PMOS的源极连接第一输入电压，第七PMOS的栅极连接反相器的输出端，第七PMOS的漏极连接输出电压。4.根据权利要求3所述的子选择电路，其特征在于，所述第一子选择电路的工作模式信号为高电平时，第一电阻、第二电阻、第一 PM0S、第七PM0S、第一 NM0S、第二 NM0S、第三NM0S、第四NM0S、第五NM0S、反相器构成使能模式电路。5.根据权利要求4所述的子选择电路，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻、第一PM0S、第一 NM0S、第二 NM0S、第三NM0S、第四NMOS构成比较器结构。6.根据权利要求3所述的子选择电路，其特征在于，在工作模式信号为低电平时，第三电阻、第二 PM0S、第三PM0S、第四PM0S、第五PM0S、第六PM0S、第七PM0S、第三NM0S、第五NM0S、第六NM0S、反相器构成去使能模式电路。7.根据权利要求6所述的子选择电路，其特征在于，所述第三电阻、第二PM0S、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第三NMOS、第五NMOS、第六NMOS构成电力闩锁结构。8.根据权利要求3所述的子选择电路，其特征在于，所述第一子选择电路还包括第四电阻、第五电阻、第八PMOS和第九PMOS ;其中，所述第八PMOS的源极连接第一输入电压，第八PMOS的栅极通过第四电阻连接第二输入电压，第八PMOS的漏极连接第九PMOS的源极；第九PMOS的栅极通过第五电阻连接第三输入电压，第九PMOS的漏极为保护电压输出节点。9.一种最大电压选择电路，其特征在于，该最大电压选择电路包括 具有N路输入电压的选择电路； 向所述选择电路提供工作模式信号和参考电压的外围信号电路； 所述选择电路包括N个子选择电路，N路输入电压对应接入N个子选择电路； 所述各子选择电路均为根据工作模式信...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雷，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：