压电声波滤波器和芯片封装结构制造技术

本发明专利技术提供压电声波滤波器和芯片封装结构，通过在连接压电声波滤波器的电感之间引入互感，调节压电声波滤波器传输零点的位置。本发明专利技术的压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，在所述电感器中，至少有两个电感器之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。在本发明专利技术的芯片封装结构中，至少有两个键合线或基板走线与电感器的串联体之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。采用本发明专利技术的技术方案，还有助于改善滤波器的高频性能以及节省电感器所占空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路
，特别地涉及压电声波滤波器和芯片封装结构。
技术介绍
压电声波滤波器(以下简称为“滤波器”)是一种使用广泛的半导体器件。为了使滤波器在特定的频段例如ISM频段、GSM频段等频段内对输入信号有较强的抑制作用，通常会使滤波器在这些频段内具有传输零点。通过选择滤波器中的电感器的电感值，可以调节 这些传输零点对应的频率点，该动作又可称作调节滤波器传输零点。图I是根据现有技术中的一种压电声波滤波器的电路原理的示意图。图I所示的是一种常见的梯形网络结构，该网络结构由数个串联的压电声波谐振器(XII、X12、X13)和数个并联的压电声波谐振器(Y11、Y12、Y13)构成。在实际的梯形网络结构中也可能包含更多的压电声波谐振器。使用集成电路制造技术可以将图I所示的电路制造在一个芯片内，即得到一个滤波芯片。图I所示的电路原理中还包括若干个电感元件。该电感元件可以是表不滤波芯片内部的电感器。当在远离滤波器通带的低频处放置传输零点，从而实现信号抑制时，往往需要电感器(例如图I中的LU、L12、L13)具有较大的电感值。专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，这种较大的电感值会带来诸多不利因素，如使滤波器的高频性能变差、电感器占用较大空间等。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了压电声波滤波器和芯片封装结构，以克服上述的不利因素。本专利技术提供的压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，在所述电感器中，至少有两个电感器之间的互感电感值位于区间内。可选地，所述电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波器与所述封装基板之间具有多条金属键合线，对于所述电感器与所述金属键合线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。可选地，所述电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的另一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器与所述封装基板之间具有多条金属键合线，所述金属键合线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于所述电感器与所述金属键合线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。可选地，所述电感器的电感值位于区间(0nH，10nH]内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波器焊接在所述封装基板上，焊接处同时与所述电感器以及所述封装基板的基板走线连接，对于所述电感器与所述基板走线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。可选地，所述电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述 压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器焊接在所述封装基板上，各个焊接处与所述基板的基板走线连接，各条基板走线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于所述电感器与所述基板走线构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。可选地，所述电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波芯片与所述封装基板之间具有多条金属键合线，所述金属键合线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于与所述压电声波谐振器连接的电感器、所述金属键合线、和所述封装基板上的电感器依次连接构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。进一步地，与所述压电声波谐振器连接的电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内；并且/或者，所述封装基板上的电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，所述压电声波滤波芯片焊接在所述封装基板上，各个焊接处与所述基板的基板走线连接，各条基板走线分别与所述封装基板上的电感器串联，对于与所述压电声波谐振器连接的电感器、所述基板走线、和所述封装基板上的电感器依次连接构成的多个串联体，至少有两个串联体之间的互感电感值位于区间内。进一步地，与所述压电声波谐振器连接的电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内；并且/或者，所述封装基板上的电感器的电感值位于区间(0ηΗ，10ηΗ]内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器与所述封装基板之间具有多条金属键合线，至少有两条所述金属键合线之间的互感电感值位于区间内。本专利技术提供的又一种芯片封装结构中包含压电声波滤波芯片以及封装基板，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，所述压电声波滤波器焊接在所述封装基板上，各个焊接处与所述基板的基板走线连接，至少有两条所述基板走线之间的互感电感值位于区间内。根据本专利技术的技术方案，可以通过在电感之间引入互感的方式设计滤波器的传输零点。在利用了上述互感的情况下，对滤波器的信号抑制性能影响不大，但相关的电感器可以选择较小电感值，有利于获得较佳的滤波器高频性能，并且较小电感值的电感器占用的空间也较小，同时也有助于产品研发阶段的调试。附图说明附图用于更好地理解本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。其中图I是根据现有技术中的一种压电声波滤波器的电路原理的示意图；图2A是与本专利技术实施例有关的滤波器电路中存在互感的一种情形的示意图；图2B是与本专利技术实施例有关的滤波器电路中存在互感的另一种情形的示意图；图3是根据与本专利技术实施例有关的滤波芯片大体结构的示意图； 图4A是根据本专利技术实施例的第一种芯片封装结构的示意图；图4B是根据本专利技术实施例的第二种芯片封装结构的示意图；图4C是根据本专利技术实施例的第三种芯片封装结构的示意图；图5A是根据本专利技术实施例的第四种芯片封装结构的示意图；图5B是根据本专利技术实施例的第五种芯片封装结构的示意图；图5C是根据本专利技术实施例的第六种芯片封装结构的示意图；图6A是根据本专利技术实施例的第七种芯片封装结构的示意图；图6B是根据本专利技术实施例的第八种芯片封装结构的示意图；图7A是与本专利技术实施例有关的滤波器频率响应的一个示意图；图7B是与本专利技术实施例有关的滤波器频率响应的另一个不意图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的示范性实施例做出说明，其中包括本专利技术实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识至IJ，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本专利技术的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。专利技术人在实现本专利技术的过程中发现，滤波器的传输零点受到电路中的电感性器件之间的互感的影响。参考图2A和图2B，图2A是与本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电声波滤波器，所述压电声波滤波器包括多个压电声波谐振器，以及多个与所述压电声波谐振器连接的电感器，其特征在于，在所述电感器中，至少有两个电感器之间的互感电感值位于区间[0.01nH，1nH]内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，周冲，庞慰，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：