压电薄膜谐振器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了压电薄膜谐振器及其制造方法。一种压电薄膜谐振器包括：下电极，其设置在基板上；压电膜，其设置在下电极上并包括至少两层；上电极，其设置在压电膜上，并具有面对下电极且与下电极一起夹着压电膜的区域；和绝缘膜，其设置在下电极和上电极彼此面对的区域中，并在所述至少两层的各层之间，其中绝缘膜的上表面比绝缘膜的下表面平坦。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的特定方面涉及压电薄膜谐振器和用于制造压电薄膜谐振器的方法。
技术介绍
随着诸如移动电话单元的移动通信设备的快速普及，对小且轻的谐振器以及具有该谐振器的滤波器的需求增大。近来，开发具有仅允许在特定频率范围中的电信号通过的特性的高频通信用滤波器，该特性是通过组合具有压电材料的表面声波谐振器和使用压电薄膜的厚度振动的压电薄膜谐振器而获得的。使用表面声波谐振器或压电薄膜谐振器的滤波器的外形小于电介质滤波器的外形。并且，表面声波谐振器的Q值高于电介质滤波器的Q值。因此，表面声波谐振器适合于需要陡的滚降特性的移动通信设备(诸如小的移动电话单元)的高频组件。双工器用作具有表面声波谐振器或压电薄膜谐振器的梯型滤波器的应用组件。双工器具有收发功能，并用作发送信号频率与接收信号频率不同的无线设备。存在作为压电薄膜谐振器的FBAR (膜体声波谐振器)类型和SMR (固态装配型谐振器)类型。FBAR类型的压电薄膜谐振器具有在基板上按照下电极、压电薄膜和上电极的顺序层叠的层叠结构。在下电极和上电极之间夹着压电膜的区域是谐振部。在谐振部的下电极的下方形成腔。另一方面，SMR类型的压电薄膜谐振器具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：下电极，其设置在基板上；压电膜，其设置在所述下电极上并且包括至少两层；上电极，其设置在所述压电膜上，并且具有与所述下电极一起夹着所述压电膜且面对所述下电极的区域；以及绝缘膜，其设置在所述至少两层的各层之间并且在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，其中，所述绝缘膜的上表面比所述绝缘膜的下表面平坦。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上田政则，谷口真司，西原时弘，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：