【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
自从1996年日亚化学发表InGaN/Y3Al5012 :Ce3+(简称YAG: Ce)荧光粉的单芯片白光LED,荧光粉转换白光LED技术随之成为市场主流。荧光粉的发展则由较不安定的硫化物与卤化物,演变至化学与高温安定性较佳的招酸盐(Aluminate)、娃酸盐(Silicate)、氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxynitride)突光材料,近期则以氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxy-nitride)最为热门。 1980年代,金属氮(氧)化物早期多作为结构或功能性陶瓷使用,其在白光LED的应用直至近几年才开始被注意,Li等在2005年最早研制出MSi2O2N2荧光材料并对其发光性质做出研究,CaSi2O2N2: Eu 发射峰位于 560nm, SrSi2O2N2 Eu 峰值位于 570nm,而 BaSi2O2N2 Eu发射峰值位于500nm。它们的激发光谱都很宽,覆盖了紫外光-蓝光区域,是几种性能良好的荧光粉,不但亮度高,化学稳定性和热力学稳定性相对其他荧光粉都较高,受到了广泛的关注。以上所说的MSi2O2N2氮氧 ...
【技术保护点】
一种氮氧化物荧光粉,其特征在于:所述氮氧化物荧光粉的化学通式为A1?xByOzN2/3+4/3y?2/3z:xRE,其中0≤X<1.0,1.0≤Y≤3.0,0<Z≤2.0,A代表Be、Mg、Ca、Sr、Ba和Zn元素中的至少一种,B代表Si元素,RE代表Eu、Ce、Dy和Mn元素中的至少一种。
【技术特征摘要】
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