一种P型纳米BiTe基材料的制备方法技术

本发明专利技术属于一种Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料的制备方法，其特点是：选用高压釜或者烧杯作为制备Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料的反应装置；选用ＢｉＣｌ↓［３］、ＳｂＣｌ↓［３］、ＳｂＣｌ↓［５］、Ｔｅ、ＥＤＴＡ、酒石酸、ＨＣｌ、ＮａＯＨ、ＮａＮＨ↓［４］、ＨＮＯ↓［３］、ＫＯＨ、ＢｉＣｌＯ↓［４］、Ｆｅ、Ｍｇ中五种以上材料作为制备Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料用的反应物；计算反应物所需要的质量并准确称量；放入反应装置中进行反应，然后清洗、过滤后、烘干，冷却到后即成为Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料。经反应后的ＢｉＴｅ基材料为Ｐ型，经ＸＲＤ及ＴＥＭ分析，获得的粉体颗粒尺寸均为纳米级；制成温差电材料时，可有效降低材料的热导率，充分发挥了ＢｉＴｅ基材料的优质特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于温差电材料
，特别是涉及一种P型纳米BiTe基材料的制备方法。
技术介绍
BiTe基材料的最高无量纲优值ZT接近于1,是目前室温附近热电性能最 好的温差电材料。在空间工程遥感遥测器的致冷器、同位素温差发电器、便 携式冷藏箱、电子冷饮机等方面均有广泛的应用背景。目前公知的纳米温差电材料的制备方法，是在传统块体Bi2Te3温差电材 料中添加相同组分的BbTe3纳米颗粒作为附加声子散射中心。该方法可以在 基本不降低材料电导率的前提下降低了材料的热导率，大大提高了温差电材 料的优值特性，但该方法只能制备N型纳米BiTe基材料，而无法制备出P型 纳米BiTe,不能完全满足要求低热导率领域的需要，影响了BiTe基材料的最 佳发挥，影响到BiTe的广泛应用。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术中存在的问题，提供了 一种可降低P型BiTe基材 料低热导率、使BiTe基材料特性得到最佳限度发挥，扩大BiTe材料应用范 围的P型纳米BiTe基材料的制备方法。本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题釆用的技术方案是，其特点是包括以下制备步骤(1 )选用高压釜或者烧杯作为制备P型纳米B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：（１）选用高压釜或者烧杯作为制备Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料的反应装置；（２）选用ＢｉＣｌ↓［３］、ＳｂＣｌ↓［３］、ＳｂＣｌ↓［５］、Ｔｅ、ＥＤＴＡ、酒石酸、ＨＣｌ、ＮａＯＨ、ＮａＮＨ↓［４］、ＨＮＯ↓［３］、ＫＯＨ、ＢｉＣｌＯ↓［４］、Ｆｅ、Ｍｇ中两种或两种以上材料作为制备Ｐ型纳米ＢｉＴｅ基材料用的反应物；（３）计算反应物所需要的质量并准确称量；（４）将称好重量的反应物放入（１）中的反应装置中，将温度设置为５０～２００℃下，进行５～４０小时反应；（５）对经（４）反应后的反应物放在烧杯中用蒸馏水进行清洗、用漏斗和滤纸进行过滤后，在...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，张建中，王泽深，任保国，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：12[]