【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其特征在于：其包括以下步骤：先采用SF6和C4F8交替刻蚀与保护的各向异性刻蚀工艺对设置有MEMS悬桥结构的圆片进行刻蚀，进而在圆片上得到若干独立的基本垂直的相邻沟槽；再采用SF6与O2混合的各向同性刻蚀工艺，将所述相邻沟槽连通，从而在圆片上获得MEMS悬桥结构的释放空间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐乃涛，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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