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本发明涉及一种释放MEMS悬桥结构的刻蚀方法，其包括以下步骤：先采用SF6和C4F8交替刻蚀与保护的各向异性刻蚀工艺对设置有MEMS悬桥结构的圆片进行刻蚀，进而在圆片上得到若干独立的基本垂直的相邻沟槽；再采用SF6与O2混合的各向同性刻蚀工...
该专利属于美新半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美新半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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