【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体激光器器件，尤其是一种多量子阱半导体激光器。
技术介绍
半导体激光器由于具有体积小、重量轻、使用电驱动、电光转换效率高、寿命长等优点，在工业加工、军事国防、医疗、全固态激光泵浦等领域获得了广泛应用。半导体激光器的发展趋势是高功率、高亮度和长寿命。目前商用的大功率半导体激光器多为单量子阱半导体激光器，其单巴连续波输出功率可达100W，准连续波输出功率达250W，若进一步提高功率，必须将多个巴条组合为叠阵或者面阵的形式，但叠阵和面阵的体积过大，限制了半导体激光器的进一步应用。相对于单量子阱半导体激光器(SQW)，多量子阱半导体激光器(MQW)有其独特的 优势在尺寸保持不变的情况下，多量子阱半导体激光器最高输出功率可达单量子阱半导体激光器的η倍(η为量子阱层数);在相同的工作电流下，多量子阱半导体激光器的输出功率可达单量子阱半导体激光器的η倍。多量子阱半导体激光器理论上能够大大提高输出功率和亮度，有效降低系统尺寸及对大电流电源的需求，是半导体激光器的重要发展方向。但目前多量子阱半导体激光器产品受限于散热能力，导致难以达到预期的输出功率，可靠性较低。...
【技术保护点】
多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特征在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张普，刘兴胜，熊玲玲，王贞福，刘晖，聂志强，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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