一种管式PECVD温度控制系统技术方案

一种管式PECVD温度控制系统，它包括主控制器、温度控制器、可控硅触发板、可控硅、变压器、多对热电偶，所述的热电偶的信号输出端与温度控制仪的信号输入端相连，温度控制仪的控制信号输出端与可控硅触发板的控制信号输入端相连，可控硅触发板的输出端与可控硅的控制信号输入端相连，可控硅的输出端通过变压器与炉管内的加热电阻丝相连接，主控制器与温度控制仪相连。本实用新型专利技术可以解决传统控制温度追求整个过程中温度的平衡，由于炉体本身特性及开关炉门前后环境的差异，造成开始温度升温慢，而后超温大的现象。本实用新型专利技术忽略辅助工艺时的温度，主要控制镀膜过程中的温度，使其满足工艺要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术设计太阳能光伏领域，尤其涉及一种管式PECVD温度控制系统。
技术介绍
PECVD即等离子体增强的化学气相沉积，有助于提高太阳能电池片转化效率。管式PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。沉积温度对沉积膜的厚度及均匀性有较大的影响，是决定镀膜是否成功的重要参·数之一，而目前对镀膜过程中温度的控制存在以下难点I、电阻炉滞后性大，升温慢，超温大；2、外界环境变化不定，温度场不容易控制。
技术实现思路
本技术主要针对管式PECVD在镀膜工艺过程中的温度控制难度大的问题通过采用提前加温、分段控制的方式解决传统温控仪升温速度慢、超温大的问题。本技术是通过如下技术方法实现的一种管式PECVD温度控制系统，所述的温度控制系统包括主控制器、温度控制器、可控硅触发板、可控硅、变压器、多对热电偶，所述的每对热电偶分为内热电偶和外热电偶，外热电偶安装在加热电阻丝中间，内热电偶安装在炉管内壁上，热电偶的信号输出端与温度控制仪的信号输入端相连，温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种管式PECVD温度控制系统，所述的管式PECVD包括：加热电阻丝（7）和炉管（8），加热电阻丝（7）安装在炉管（8）内，其特征在于所述的温度控制系统包括：主控制器（1）、温度控制器（2）、可控硅触发板（3）、可控硅（4）、变压器（5）和多对热电偶（6），所述的每对热电偶（6）分为内热电偶和外热电偶，外热电偶安装在加热电阻丝（7）中间，内热电偶安装在炉管（8）内壁上，热电偶（6）的信号输出端与温度控制仪（2）的信号输入端相连，温度控制仪（2）的控制信号输出端与可控硅触发板（3）的控制信号输入端相连，可控硅触发板（3）的输出端与可控硅（4）的控制信号输入端相连，可控硅（4）的输出端通过变压器（...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李亮，
申请(专利权)人：南京科达新控仪表有限公司，
类型：实用新型
国别省市：