【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶、多晶硅片生产用退火炉，特别涉及一种提高硅片电性能的退火炉网带。
技术介绍
传统的退火技术是网带整个面与单、多晶硅片表平面直接接触，在高温退火时由于网带与硅片表面接触较多，不能充分把硅片中的杂质加热燃烧去除。使得单晶、多晶硅片在实际生产过程中产生大量的高电阻类型，这些高电阻类型的硅片往往只能退回做库存或者重新生长单、多晶硅片使用，生产成本无形增加，利用率降低
技术实现思路
·本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中，退火炉网带与硅片接触影响硅片电性能的不足，本技术提供一种提高硅片电性能的退火炉网带，能在退火炉中使硅片去除表面杂质，使硅片达到技术标准要求。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种提高硅片电性能的退火炉网带，包括网带本体，所述的网带本体的上表面设有等间隔的凸起，为了充分燃烧硅片中的杂质，需要设置好凸起的间隔，相邻两个凸起之间的间隔为2cm 8cm;所述的凸起凸出网带本体的高度大致相同，为了保证退火时硅片能够稳定地放置在网带上，所述的凸起凸出网带本体的高度为O. 5cm I. 5cm。为了减小退火时，硅片与网带的接触面积，所述的凸起截面为倒V...
【技术保护点】
一种提高硅片电性能的退火炉网带，包括网带本体（1），其特征在于：所述的网带本体（1）的上表面设有等间隔的凸起（2），相邻两个凸起（2）之间的间隔为2cm～8cm，所述的凸起（2）凸出网带本体（1）的高度大致相同，所述的凸起（2）凸出网带本体（1）的高度为0.5cm～1.5cm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王煜辉，
申请(专利权)人：常州华盛恒能光电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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